发明公开
- 专利标题: 磁控溅射镀膜腔室、镀膜机以及镀膜方法
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申请号: CN202111316908.X申请日: 2021-11-09
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公开(公告)号: CN113774351A公开(公告)日: 2021-12-10
- 发明人: 谭志
- 申请人: 武汉中维创发工业研究院有限公司
- 申请人地址: 湖北省武汉市东湖新技术开发区关山大道473号光谷新发展国际中心写字楼B座第5、6层05-108室
- 专利权人: 武汉中维创发工业研究院有限公司
- 当前专利权人: 维达力实业(深圳)有限公司
- 当前专利权人地址: 518129 广东省深圳市龙岗区平湖街道禾花社区富康路6号深业物流平湖中心厂房B(宝能智创谷B栋)301-303,305-313,315-322
- 代理机构: 广州华进联合专利商标代理有限公司
- 代理商 秦冉冉
- 主分类号: C23C14/35
- IPC分类号: C23C14/35
摘要:
本发明涉及一种磁控溅射镀膜腔室、镀膜机以及镀膜方法。该磁控溅射镀膜腔室包括镀膜罩,样品台以及多个由外到内分布的磁控管组。其中,各磁控管组中具有偶数个磁控管且第1磁控管组的磁控管组中磁控管的数量≥4,第2磁控管组的磁控管组中磁控管的数量≥2,磁控管包括内磁体和位于内磁体两侧的两个外磁体,内磁体的极性与外磁体的极性相反。第1磁控管组中相邻的两个磁控管的外磁体的极性相反,所述第2磁控管组中相邻的两个磁控管的外磁体的极性相同。此时第2磁控管组中磁控管的磁力线会向外围延伸,同时被第1磁控管组中磁控管的磁力线束缚,这样可以有效提高等离子体的溅射纵深,进而提高大尺寸基材表面镀层厚度的均匀性。
公开/授权文献
- CN113774351B 磁控溅射镀膜腔室、镀膜机以及镀膜方法 公开/授权日:2022-03-18
IPC分类: