复合仿金合金涂层及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN113846290B

    公开(公告)日:2022-03-18

    申请号:CN202111436205.0

    申请日:2021-11-30

    Inventor: 谭志

    Abstract: 本发明涉及一种复合仿金合金涂层及其制备方法和应用。该复合仿金合金涂层包括层叠设置的Zr‑Ag‑Ni‑Cu层(化学组成为ZrxAgyNizCu1‑x‑y‑z)和SiO2层,x、y和z为原子百分比,0.03≤x≤0.20,0.05≤y≤0.20,0.02≤z≤0.05。由于Zr、Ag、Ni和Cu的原子半径非常接近,在Zr‑Ag‑Ni‑Cu生长过程中有利于其呈合金化生长;且Zr与Cu,Ni与Cu,易形成较强的金属键,导致其为非常致密的非晶态,进而提升了其的耐腐蚀性能;掺杂少量的Ag有利于提升合金的亮度。配合使用SiO2作为保护涂层,能够隔绝空气中的氧气、水蒸气,进一步提升复合仿金合金涂层的耐腐蚀性。

    纳米多层复合陶瓷涂层及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN113817984B

    公开(公告)日:2022-03-18

    申请号:CN202111398807.1

    申请日:2021-11-24

    Inventor: 谭志

    Abstract: 本发明涉及一种纳米多层复合陶瓷涂层及其制备方法和应用。该纳米多层复合陶瓷涂层包括交替层叠设置的Cr‑B‑N层(化学组成为CrxByN1‑x‑y)和Ti‑B‑N层(化学组成为TiaBbN1‑a‑b),x、y、a和b为原子百分比,0.40≤x≤0.80,0.10≤y≤0.30,0.40≤a≤0.80,0.10≤b≤0.30。B和N的原子半径接近,化合价相差大,在薄膜生长的过程,加入B后利于形成纤维状晶体结构,且B与Cr、Ti、N可以形成较强的键,部分B会取代N的位置,形成Cr‑B‑N、Ti‑B‑N固溶体,使氮化物不易生长成柱状晶,晶粒更细化,膜层更平整,纳米多层复合陶瓷涂层兼具高硬度和高韧性。

    粉体及其制备方法
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN113953521A

    公开(公告)日:2022-01-21

    申请号:CN202111566723.4

    申请日:2021-12-21

    Inventor: 谭志

    Abstract: 本发明涉及一种粉体及其制备方法。上述制备方法使用针板在锂金属板的第一侧面上冲压出多个凹槽,在凹槽中沉积制粉原料,并将位于第一侧面上的制粉原料去除,保留位于凹槽中的制粉原料,此时每个凹槽中形成有一个粉体颗粒,再将填充锂板置于水中,金属锂会与水反应而变形,使得粉体颗粒脱出,从而能够将粉体颗粒从水中收集。由于多个凹槽是使用针板冲压形成,凹槽的形状及尺寸均一程度高,因此在每个凹槽中形成的粉体颗粒形状及尺寸均一性良好。此外,粉体颗粒的形状及尺寸由凹槽的形状及尺寸决定,因此可以方便地通过控制形成凹槽的形状及尺寸,使粉体颗粒形成期望的形状及尺寸,可控程度高,在高端功能领域有良好的应用前景。

    复合仿金合金涂层及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN113846290A

    公开(公告)日:2021-12-28

    申请号:CN202111436205.0

    申请日:2021-11-30

    Inventor: 谭志

    Abstract: 本发明涉及一种复合仿金合金涂层及其制备方法和应用。该复合仿金合金涂层包括层叠设置的Zr‑Ag‑Ni‑Cu层(化学组成为ZrxAgyNizCu1‑x‑y‑z)和SiO2层,x、y和z为原子百分比,0.03≤x≤0.20,0.05≤y≤0.20,0.02≤z≤0.05。由于Zr、Ag、Ni和Cu的原子半径非常接近,在Zr‑Ag‑Ni‑Cu生长过程中有利于其呈合金化生长;且Zr与Cu,Ni与Cu,易形成较强的金属键,导致其为非常致密的非晶态,进而提升了其的耐腐蚀性能;掺杂少量的Ag有利于提升合金的亮度。配合使用SiO2作为保护涂层,能够隔绝空气中的氧气、水蒸气,进一步提升复合仿金合金涂层的耐腐蚀性。

    磁控溅射镀膜腔室、镀膜机以及镀膜方法

    公开(公告)号:CN113774351A

    公开(公告)日:2021-12-10

    申请号:CN202111316908.X

    申请日:2021-11-09

    Inventor: 谭志

    Abstract: 本发明涉及一种磁控溅射镀膜腔室、镀膜机以及镀膜方法。该磁控溅射镀膜腔室包括镀膜罩,样品台以及多个由外到内分布的磁控管组。其中,各磁控管组中具有偶数个磁控管且第1磁控管组的磁控管组中磁控管的数量≥4,第2磁控管组的磁控管组中磁控管的数量≥2,磁控管包括内磁体和位于内磁体两侧的两个外磁体,内磁体的极性与外磁体的极性相反。第1磁控管组中相邻的两个磁控管的外磁体的极性相反,所述第2磁控管组中相邻的两个磁控管的外磁体的极性相同。此时第2磁控管组中磁控管的磁力线会向外围延伸,同时被第1磁控管组中磁控管的磁力线束缚,这样可以有效提高等离子体的溅射纵深,进而提高大尺寸基材表面镀层厚度的均匀性。

    粉体及其制备方法
    6.
    发明授权

    公开(公告)号:CN113953521B

    公开(公告)日:2022-04-29

    申请号:CN202111566723.4

    申请日:2021-12-21

    Inventor: 谭志

    Abstract: 本发明涉及一种粉体及其制备方法。上述制备方法使用针板在锂金属板的第一侧面上冲压出多个凹槽,在凹槽中沉积制粉原料,并将位于第一侧面上的制粉原料去除,保留位于凹槽中的制粉原料,此时每个凹槽中形成有一个粉体颗粒,再将填充锂板置于水中,金属锂会与水反应而变形,使得粉体颗粒脱出,从而能够将粉体颗粒从水中收集。由于多个凹槽是使用针板冲压形成,凹槽的形状及尺寸均一程度高,因此在每个凹槽中形成的粉体颗粒形状及尺寸均一性良好。此外,粉体颗粒的形状及尺寸由凹槽的形状及尺寸决定,因此可以方便地通过控制形成凹槽的形状及尺寸,使粉体颗粒形成期望的形状及尺寸,可控程度高,在高端功能领域有良好的应用前景。

    仿金合金及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN113862584B

    公开(公告)日:2022-04-08

    申请号:CN202111456050.7

    申请日:2021-12-02

    Inventor: 谭志

    Abstract: 本发明涉及一种仿金合金及其制备方法和应用。该仿金合金的化学式为ZrxSiyNizCu1‑x‑y‑z,x、y和z为原子百分比,0.05≤x≤0.13,0.02≤y≤0.10,0.02≤z≤0.05,其为非晶结构,能形成四相合金,这主要是由于Zr、Si、Ni和Cu的原子半径非常接近,在生长过程中有利于其呈合金化生长。并且,在生长过程中,Zr与Cu,Ni与Cu,Zr与Si易形成较强的金属键,导致粉末结构为类非晶态,形成了致密的内部结构,进而提升了其的耐腐蚀性能。另外,掺杂少量的Ni和Si有利于提升合金的硬度以及结构稳定性,进而提升了粉料在球磨或砂磨过程中的颗粒规则性。

    黑色纳米复合材料及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN113817983B

    公开(公告)日:2022-03-18

    申请号:CN202111398767.0

    申请日:2021-11-24

    Inventor: 谭志

    Abstract: 本发明涉及一种黑色纳米复合材料及其制备方法和应用。该黑色纳米复合材料的化学式为WxSiyBzC1‑x‑y‑z,x、y和z为原子百分比,0.3≤x≤0.7,0.15≤y≤0.5,0.03≤z≤0.25,且x+y+z<1。在WxSiyBzC1‑x‑y‑z生长过程中,B在与W、C可以形成较强的键能;同时,在原子尺寸上,B处于C和Si之间,B的加入,有利于薄膜向非晶态生长,在黑色色泽达到后,导电的金属非晶使得薄膜更为平整,连续贯穿的缺陷大为减少,耐腐蚀性提高。同时,控制各元素原子百分比,有利于进一步提升薄膜的硬度。可见,本发明黑色纳米复合材料是一种致密的、带有黑色色泽的、高硬度的非晶硬质材料。

    仿金合金及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN113862584A

    公开(公告)日:2021-12-31

    申请号:CN202111456050.7

    申请日:2021-12-02

    Inventor: 谭志

    Abstract: 本发明涉及一种仿金合金及其制备方法和应用。该仿金合金的化学式为ZrxSiyNizCu1‑x‑y‑z,x、y和z为原子百分比,0.05≤x≤0.13,0.02≤y≤0.10,0.02≤z≤0.05,其为非晶结构,能形成四相合金,这主要是由于Zr、Si、Ni和Cu的原子半径非常接近,在生长过程中有利于其呈合金化生长。并且,在生长过程中,Zr与Cu,Ni与Cu,Zr与Si易形成较强的金属键,导致粉末结构为类非晶态,形成了致密的内部结构,进而提升了其的耐腐蚀性能。另外,掺杂少量的Ni和Si有利于提升合金的硬度以及结构稳定性,进而提升了粉料在球磨或砂磨过程中的颗粒规则性。

    陶瓷电阻的制备方法、陶瓷电阻及电子电路器件

    公开(公告)号:CN114195490A

    公开(公告)日:2022-03-18

    申请号:CN202111676044.2

    申请日:2021-12-31

    Abstract: 本发明提供了一种陶瓷电阻的制备方法,其包括如下步骤:按照包括如下重量份的各组分进行备料作为原料:二氧化硅20~40份、氧化铝40~70份及碳酸钙10~20份;将所述原料进行球磨处理,得到粉料;向所述粉料中混入5~15份的高分子粘结剂,并进行造粒处理,得到前驱体颗粒;将所述前驱体颗粒压制成型并在抽真空条件下进行烧结处理,使所述碳酸钙分解并使所述高分子粘结剂碳化。该陶瓷电阻的制备方法制备得到的陶瓷电阻具有较高的质量和热容,因而具有较高的热稳定性和耐浪涌能力。

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