Invention Grant
- Patent Title: 碳纳米管射频器件、制造方法及集成电路系统
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Application No.: CN202010515970.0Application Date: 2020-06-09
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Publication No.: CN113782674BPublication Date: 2024-02-27
- Inventor: 石惠文 , 仲东来 , 张志勇 , 彭练矛
- Applicant: 北京元芯碳基集成电路研究院 , 北京大学 , 北京华碳元芯电子科技有限责任公司
- Applicant Address: 北京市海淀区杏石口路80号
- Assignee: 北京元芯碳基集成电路研究院,北京大学,北京华碳元芯电子科技有限责任公司
- Current Assignee: 北京元芯碳基集成电路研究院,北京大学,北京华碳元芯电子科技有限责任公司
- Current Assignee Address: 北京市海淀区杏石口路80号
- Agency: 北京庚致知识产权代理事务所
- Agent 韩德凯; 李伟波
- Main IPC: H10K10/46
- IPC: H10K10/46 ; H10K85/20 ; H10K71/00
Abstract:
本公开提供了一种碳纳米管射频器件，包括：沟道层，沟道层由碳纳米管形成；以及衬底层，沟道层设置在衬底层上，其中，衬底层的与沟道层接触的表面形成有极性基团，碳纳米管至少通过衬底层的表面的极性基团设置在衬底层上。本公开还提供了一种碳纳米管射频器件的制造方法以及一种集成电路系统。
Public/Granted literature
- CN113782674A 碳纳米管射频器件、制造方法及集成电路系统 Public/Granted day:2021-12-10
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