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公开(公告)号：CN118957730A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202411100146.3
申请日：2024-08-12
申请人： 天津大学四川创新研究院 , 四川天瓴创新科技集团有限公司 , 四川莱仪特天瓴科技有限公司
摘要： 本发明公开了聚合物辅助双相浸渍提拉生长连续有机单晶的方法及应用，包括以下步骤：在室温下，将清洁的衬底垂直浸入双相溶液中，当衬底全部浸入双相溶液中时，将衬底以5‑20μm/s的速度从提拉溶液中垂直移出，待衬底完全从中拉出时，在衬底上得到连续生长有机单晶，所述双相溶液的下层为聚乙烯醇水溶液，上层为有机半导体溶液，上下两层溶液互不相溶，所述聚乙烯醇的浓度为0.1‑10 mg/mL，所述有机半导体的浓度为0.1‑1 mg/mL。本发明成功规避了传统单相浸渍提拉中高浓度均相成核所带来的负面影响，PVA的引入有助于半导体分子在基板上的粘附，减少了流体不稳定和传质紊乱，有效地促进了有机单晶的高质量连续生长。
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公开(公告)号：CN113488591B
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202110758937.5
申请日：2021-07-05
申请人： 南京大学
摘要： 本发明提供了一种平面型无寄生电容的有机场效应晶体管的制作方法：1)在玻璃基底表面用钼片掩模，热蒸镀铬作为金与玻璃的黏附层，再蒸镀金电极作为源电极和漏电极，然后利用光刻在金电极上做出预设的栅极图案；2)用湿法刻蚀去除多余的铬和金，将栅极图案中连接着的金电极分隔成源电极和漏电极；3)用掩模版热蒸镀与金相同厚度的铝作为栅电极，然后用氧等离子体处理栅电极，在铝上原位生长氧化铝作为介电层；4)将蒸镀好电极的基片放入预热80℃的DMSO中超声5min两次，再将溶液换为丙酮继续超声5min后换为异丙醇超声5min后用氮气吹干。本发明制作方法制作的晶体管电极处于同一水平高度，该结构能够保证寄生重叠为0，将寄生电容完全消除。
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公开(公告)号：CN105470389B
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN201610031166.9
申请日：2016-01-14
申请人： 中国计量大学
摘要： 本发明提供的一种柔性有机三维结构场效应晶体管，其结构如图1所示，包括第一源电极(101)、第二源电极(102)、第一漏电极(201)、第二漏电极(202)、电极延伸层(203)、第一有机半导体层(301)、第二有机半导体层(302)、第一绝缘层(401)、第二绝缘层(402)、栅电极(5)、柔性衬底(6)。由于平面结构的场效应在降低沟道长度上受到了限制，我们采用垂直沟道制备的有机场效应晶体管，这种结构的长效应晶体管沟道长度是由有机半导体层厚度决定的，而有机半导体层是采用蒸发的技术制备而成，这种方式形成的薄膜均匀性好，厚度最小能达到几个纳米，由于沟道长度的大幅度降低，源漏电流可以明显的得到提高。
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公开(公告)号：CN116844959B
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202310826677.X
申请日：2023-07-06
申请人： 山东科技大学
IPC分类号： H01L21/331 , H01L29/739 , H01L29/06 , H10K71/12 , H10K71/40 , H10K71/60 , H10K10/43 , H10K10/46
摘要： 本发明公开了一种基于毛细力的水平双层半导体场效应晶体管及制备方法，属于半导体材料及器件技术领域，晶体管属于自下而上依次包括衬底、介电层、半导体层和金属电极，半导体层为水平双层结构半导体。本发明提出一种多沟道模具，设有若干个第一微通道和第二微通道，第一微通道的左端为开口端，右端为封闭端，第二微通道的左端为封闭端，右端为开口端，第一微通道和第二微通道间隔设置；在毛细力的作用下，可同时制备具有水平结构的双层半导体，无需额外的掩膜板。在保证所制备的水平双层半导体晶体管性能的前提下，简化制备工艺、降低制备成本，提高器件的实际应用性。
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公开(公告)号：CN118725572A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202310329476.9
申请日：2023-03-30
申请人： 郑州轻工业大学
IPC分类号： C08L83/02 , H10K10/46 , H10K85/10 , H01G4/33 , C08L87/00 , C08G81/00 , C08G18/48 , C08G18/67 , C08G77/02
摘要： 本发明涉及一种介电材料及其制备方法和应用，属于介电材料技术领域。本发明的介电材料的制备方法，操作简单，工艺条件要求低，制备的介电材料中溶胶颗粒分散均匀，制成薄膜时具有良好的柔韧性、热稳定性、化学稳定性、耐溶剂性和环境稳定性，并且具有较高的介电常数和较小的漏电流密度，可用于柔性器件的制备，极大地影响柔性电子器件的未来发展和商业化。
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公开(公告)号：CN118702618A
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202410922375.7
申请日：2024-07-10
申请人： 首都师范大学
摘要： 本发明涉及有机激光及有机光电领域，具体地说，我们设计合成了一类具有强荧光发射、高增益和高迁移率具有反式二苯乙烯骨架的衍生物。一种基于反式二苯乙烯骨架的有机激光材料，其特征在于：该化合物通过1个反式二苯乙烯基团桥联，所述通式I中π1和π2各自独立地代表咔唑、三苯胺、二苯并噻吩、噻唑、苯环等衍生物，X代表H、D、F、Cl、CN。本发明通过改变中间的反式二苯乙烯基团和反式二苯乙烯基团上的取代基团，调控分子π共轭体系、拓扑结构、电子结构和溶解性，调节材料的光电特性。其结构简单，具有良好的光、热稳定性，合成工艺简单，产率很高，便于产业化。其有机单晶制备不需要添加任何表面活性剂，形貌规整，其激光阈值较低、迁移率高以及电致发光亮度高，可以应用于有机激光增益介质等有机光电领域。
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公开(公告)号：CN118678703A
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202410729873.X
申请日：2024-06-06
申请人： 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
摘要： 本发明提供了一种具有浮空场板的垂直结构共聚物有机半导体器件，包括衬底、漏极金属电极、有机半导体层、栅介质层、浮空金属场板、栅极金属电极和源极金属电极；有机半导体层顶部中心设有凹槽，凹槽内沉积有栅介质层；栅介质层顶部中心设有同轴凹槽，凹槽内嵌设有栅极金属电极；环状漏极金属电极和环状源极金属电极同轴布设在衬底表面和有机半导体层表面；位于栅极金属电极和漏极金属电极之间的有机半导体层形成为纵向漂移区；栅介质层内部嵌设有浮空金属场板，浮空金属场板的纵向长度可根据耐压要求进行选择。本发明能拓展耗尽层宽度，削弱电场峰值，对漂移区内击穿电场进行调控，从而提高器件整体的耐压性能。
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公开(公告)号：CN118671326A
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202410614185.9
申请日：2024-05-17
申请人： 湘潭大学
IPC分类号： G01N33/531 , G01N33/543 , G01N27/414 , H10K10/46 , H10K71/00
摘要： 本发明涉及生物传感器技术领域，且公开了一种基于聚多巴胺的抗体固定方法及在FET生物传感器的应用，本发明目的在于解决抗体固定的修饰步骤过长，修饰时间过长的问题，提出了通过利用聚多巴胺固定抗体的方法。聚多巴胺是皮肤中黑色素的仿生类似物，含有丰富的儿茶酚基团，能与几乎任何物质发生粘连。此种方法不仅节省时间，操作简便，而且最重要的是，当传感器的批次性较好时，可以将功能化这个步骤对传感器的影响降低，避免了多步修饰带来的机械偏差。
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公开(公告)号：CN118655201A
公开(公告)日：2024-09-17
申请号：CN202410689879.9
申请日：2024-05-30
申请人： 同济大学
IPC分类号： G01N27/414 , H10K10/46 , H10K71/00
摘要： 本发明提供了一种有机半导体掺杂的晶体管化学传感器及其制备方法和应用。本发明的有机半导体掺杂的晶体管化学传感器在有机半导体中引入掺杂分子，制备了有机半导体掺杂的晶体管传感器，该晶体管在低掺杂浓度下的传感性能明显被改善。本发明的有机半导体掺杂的晶体管化学传感器通过调控有源层中掺杂剂的掺杂比例，改善有机半导体的电学性能，可实现在低工作电压下对气体的传感响应能力的提升，为有机半导体材料及其电子器件的电学调控、传感性能提升和应用拓展提供了一种新方法。本发明的有机半导体掺杂的晶体管化学传感器的制备方法工艺简单、成本低廉、可高效快速检测目标分析物。
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公开(公告)号：CN118599144A
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202410695331.5
申请日：2024-05-31
申请人： 南京大学
摘要： 本发明一种晶圆级纳米介电层高张力可堆叠聚合物的制备方法：步骤S1：实现聚合物分子在空气和水界面的预组装；步骤S2：使用溶剂表面张力天平方法将游离的分子单层聚合物转化为致密的单层聚合物；步骤S3：将致密的单层聚合物以主链朝上的方式转移到亲水基底，或以侧链朝上的方式转移到非亲水基底；步骤S4：可根据前一层单层转移后的亲疏水性不同选择合适方式通过迭代的方法重复步骤S3制备多层聚合物；步骤S4：获得的单层或多层聚合物可通过甲醛和四氯化硅交联进一步提高介电能力。本发明首次制备得到了大面积、高密度、可堆叠和可转移的聚合物单层介电层，单层的制备不依赖于锚定基团，纳米电介质可以使用PDMS软印章干法转移到目标基底上。
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