发明公开
- 专利标题: 一种真空灭弧室及其灭弧触头
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申请号: CN202110871197.6申请日: 2021-07-30
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公开(公告)号: CN113793775A公开(公告)日: 2021-12-14
- 发明人: 谭盛武 , 李启明 , 毕迎华 , 闫静 , 李旭旭 , 耿英三 , 赵晓民 , 杨帆 , 刘庆 , 孙广雷 , 马朝阳 , 李永林 , 龚炳正 , 胡锦汐 , 何创伟 , 王铭飞 , 李潇 , 刘先保 , 张航
- 申请人: 平高集团有限公司 , 西安交通大学
- 申请人地址: 河南省平顶山市南环东路22号;
- 专利权人: 平高集团有限公司,西安交通大学
- 当前专利权人: 河南平高电气股份有限公司,西安交通大学
- 当前专利权人地址: 467001 河南省平顶山市南环东路22号
- 代理机构: 郑州睿信知识产权代理有限公司
- 代理商 李天龙
- 主分类号: H01H33/664
- IPC分类号: H01H33/664
摘要:
本发明涉及一种真空灭弧室及其灭弧触头。灭弧触头包括导电杆、触头片、纵磁导体;纵磁导体设置多个,纵磁导体在导电杆的轴向上沿触头片周向旋转延伸,各纵磁导体沿触头片周向间隔布置并且各纵磁导体旋向一致;纵磁导体具有用于与触头片周向相邻的纵磁导体沿导电杆轴向压紧接触的导体接触段;灭弧触头上相邻的导体接触段在通流时接触,缩短了通流路径,减小了通流电阻,提高了通流能力,而在开断时,纵磁导体复位,相邻纵磁导体之间间隔阻止通流,通流路径被限制在纵磁导体的延伸路径上,由于纵磁导体旋转延伸,此时灭弧触头能够保证纵向磁场强度。本发明灭弧触头通过改变电流路径的方式,保证了纵向磁场强度,同时提高了通流能力。