本发明公开了一种具有n+调整区的双模式GCT，其特征在于：整个器件表面所有GCT单元和PIN二极管单元呈指条状按同心环排列均匀地分布在芯片上表面，并且GCT单元和PIN二极管单元按3﹕1的比例交叉分布，所述PIN二极管单元的p阳极区上表面中间位置设置有一个条形或多个圆形的n+调整区，p阳极区与两侧相邻GCT单元的p基区之间均采用pnp隔离区实现有效隔离。本发明还公开了上述具有n+调整区的双模式GCT的制备方法。本发明的BGCT不仅省去了对PIN二极管进行横向局部载流子寿命控制工艺，降低了工艺难度和成本，而且可以有效改善PIN二极管恢复速度和软度，抑制动态雪崩的发生，确保器件换向的可靠性。