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公开(公告)号：CN109256423B
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN201811005402.5
申请日：2018-08-30
申请人： 西安理工大学
IPC分类号： H01L29/739 , H01L27/06 , H01L21/8222 , H01L29/06 , H01L21/331
摘要： 本发明公开了一种氧化槽交替隔离型绝缘栅双极晶体管，包括从上到下依次设置的包括从上到下依次设置的N+发射极区、P‑body区、N‑CS载流子存储区、N‑drift漂移区、N‑FS场截止区和P+集电极区；位于晶体管中间的N+发射极区内设置有Gate栅极区，位于晶体管中间的P‑body区上表面有与N+发射极区间隔设置的P+发射极区，靠近晶体管边缘的N‑FS场截止区的下表面还设置有N+集电极区，N+集电极区与位于晶体管边缘的P+集电极区间隔设置，靠近晶体管边缘的P+集电极区与N+集电极区之间开有氧化槽，本发明的晶体管通过多处优化设计使得器件在消除Snapback现象的同时恢复损耗也得到降低。
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公开(公告)号：CN113809166B
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202110914107.7
申请日：2021-08-10
申请人： 西安理工大学
IPC分类号： H01L29/74 , H01L29/06 , H01L21/332
摘要： 本发明公开了一种具有n+调整区的双模式GCT，其特征在于：整个器件表面所有GCT单元和PIN二极管单元呈指条状按同心环排列均匀地分布在芯片上表面，并且GCT单元和PIN二极管单元按3﹕1的比例交叉分布，所述PIN二极管单元的p阳极区上表面中间位置设置有一个条形或多个圆形的n+调整区，p阳极区与两侧相邻GCT单元的p基区之间均采用pnp隔离区实现有效隔离。本发明还公开了上述具有n+调整区的双模式GCT的制备方法。本发明的BGCT不仅省去了对PIN二极管进行横向局部载流子寿命控制工艺，降低了工艺难度和成本，而且可以有效改善PIN二极管恢复速度和软度，抑制动态雪崩的发生，确保器件换向的可靠性。
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公开(公告)号：CN108735832A
公开(公告)日：2018-11-02
申请号：CN201810524099.3
申请日：2018-05-28
申请人： 西安理工大学
IPC分类号： H01L31/0232 , H01L31/0352 , H01L31/113 , H01L31/18
CPC分类号： H01L31/1133 , H01L31/0232 , H01L31/03529 , H01L31/1856
摘要： 本发明公开了一种横向绝缘栅型光电导开关，包括半绝缘衬底，在半绝缘衬底的下表面上依次制作有重n型掺杂区II和阳极，在该半绝缘衬底的上方制作有电触发区域，电触发区域的上方制作有绝缘层，绝缘层的两端分别制作有阴极，阴极与电触发区域的上端接触，绝缘层的上表面中心处制作有栅极，在激光触发区域的激光入射侧的对侧安装有全反射镜。本发明还公开了上述光电导开关的制作方法。本发明提供的光电导开关能够改善漏电流问题，并提高光能利用率。
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公开(公告)号：CN106934140A
公开(公告)日：2017-07-07
申请号：CN201710131193.8
申请日：2017-03-07
申请人： 西安理工大学
IPC分类号： G06F17/50
CPC分类号： G06F17/5009 , G06F17/5004 , G06F2217/80
摘要： 本发明公开了一种基于BIM的建筑节能自动审查方法，包括在revit软件中进行建筑的体形系数、单一立面窗与外墙比、传热系数、外窗的遮阳系数的审查，传热系数的审查包括外墙、屋面、外窗、地下室、顶板的传热系数审查。本方法可优化建筑节能审查的方案，提高设计效率和质量，降低设计人员的工作量，节省大量时间资源，降低成本，为设计单位创造更多的价值。
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公开(公告)号：CN114628507A
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN202210241564.9
申请日：2022-03-11
申请人： 西安理工大学
IPC分类号： H01L29/423 , H01L29/745 , H01L21/332 , H01L21/28
摘要： 本发明公开了一种具有沟槽‑平面柵的发射极开关晶闸管，以n‑漂移区作为衬底，n‑漂移区上方设有交叠的左、右侧p基区，左、右侧p基区中各设有n+浮置区及n+阴极区；左侧p基区的左侧设有沟槽，该沟槽底部低于p基区底部，形成沟槽柵极；p基区相互交叠区及n+阴极区部分上表面设有平面柵极；沟槽栅极与平面栅极相连构成栅极G；左、右两侧p基区内设置有p++层；n+阴极区右侧部分和右侧p基区部分上表面设有铝金属化阴极K；n‑漂移区下表面依次设有n缓冲层、p+阳极区、金属化阳极A。本发明还公开了该种发射极开关晶闸管的制备方法。本发明的器件，转折电压低、导通损耗低、最大可关断电流高，制作简单。
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公开(公告)号：CN111193249B
公开(公告)日：2022-02-22
申请号：CN202010010752.1
申请日：2020-01-06
申请人： 西安理工大学
摘要： 本发明的一种可同时用于静电放电和浪涌保护的箝位电路，由三个RC网络、三个反相器、分压器、比较器、下拉路径、两个上拉路径和箝位晶体管级联而成；第一RC网络、第一反相器、第二RC网络、分压器、比较器、第三RC网络、第二反相器、第三反相器、第一上拉路径、第二上拉路径和箝位晶体管的前端均与VDD导线连接；第一RC网络、第一反相器、第二RC网络、分压器、比较器、第三RC网络、第二反相器、第三反相器、下拉路径和箝位晶体管的末端均与GND端连接；第一上拉路径、第二上拉路径的末端与下拉路径的前端连接。本发明的箝位电路，满足了同时静电放电和浪涌保护的要求。
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公开(公告)号：CN113809166A
公开(公告)日：2021-12-17
申请号：CN202110914107.7
申请日：2021-08-10
申请人： 西安理工大学
IPC分类号： H01L29/74 , H01L29/06 , H01L21/332
摘要： 本发明公开了一种具有n+调整区的双模式GCT，其特征在于：整个器件表面所有GCT单元和PIN二极管单元呈指条状按同心环排列均匀地分布在芯片上表面，并且GCT单元和PIN二极管单元按3﹕1的比例交叉分布，所述PIN二极管单元的p阳极区上表面中间位置设置有一个条形或多个圆形的n+调整区，p阳极区与两侧相邻GCT单元的p基区之间均采用pnp隔离区实现有效隔离。本发明还公开了上述具有n+调整区的双模式GCT的制备方法。本发明的BGCT不仅省去了对PIN二极管进行横向局部载流子寿命控制工艺，降低了工艺难度和成本，而且可以有效改善PIN二极管恢复速度和软度，抑制动态雪崩的发生，确保器件换向的可靠性。
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公开(公告)号：CN110224953B
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN201910467710.8
申请日：2019-05-31
申请人： 西安理工大学
IPC分类号： H04L25/03
摘要： 本发明公开的用于高速串行接口的均衡器，包括高速比较模块、采样保持模块、速率转化模块、自适应反馈模块和求和模块；本发明还公开该均衡器实现盲均衡自适应的方法，利用高速比较模块进行实现，通过输入自适应反馈模块的结果与高速信号进行幅值的符号判定，通过采样保持模块进行数据的存储，速率转化模块将用于对高速的输出结果进行低速转化，并将输出结果传输给自适应反馈模块，自适应反馈模块进行自适应输出调整系数，通过求和模块输出结果给高速比较模块，实现高速串行数据的盲均衡自适应。本发明公开的均衡器采用的环路展开式半速率求和，通过自追踪系数更新得系数；求和模块位于反馈路径，不需要数据加减法运算，加快信息的处理速度。
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公开(公告)号：CN110224953A
公开(公告)日：2019-09-10
申请号：CN201910467710.8
申请日：2019-05-31
申请人： 西安理工大学
IPC分类号： H04L25/03
摘要： 本发明公开的用于高速串行接口的均衡器，包括高速比较模块、采样保持模块、速率转化模块、自适应反馈模块和求和模块；本发明还公开该均衡器实现盲均衡自适应的方法，利用高速比较模块进行实现，通过输入自适应反馈模块的结果与高速信号进行幅值的符号判定，通过采样保持模块进行数据的存储，速率转化模块将用于对高速的输出结果进行低速转化，并将输出结果传输给自适应反馈模块，自适应反馈模块进行自适应输出调整系数，通过求和模块输出结果给高速比较模块，实现高速串行数据的盲均衡自适应。本发明公开的均衡器采用的环路展开式半速率求和，通过自追踪系数更新得系数；求和模块位于反馈路径，不需要数据加减法运算，加快信息的处理速度。
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公开(公告)号：CN109256423A
公开(公告)日：2019-01-22
申请号：CN201811005402.5
申请日：2018-08-30
申请人： 西安理工大学
IPC分类号： H01L29/739 , H01L27/06 , H01L21/8222 , H01L29/06 , H01L21/331
摘要： 本发明公开了一种氧化槽交替隔离型绝缘栅双极晶体管，包括从上到下依次设置的包括从上到下依次设置的N+发射极区、P-body区、N-CS载流子存储区、N-drift漂移区、N-FS场截止区和P+集电极区；位于晶体管中间的N+发射极区内设置有Gate栅极区，位于晶体管中间的P-body区上表面有与N+发射极区间隔设置的P+发射极区，靠近晶体管边缘的N-FS场截止区的下表面还设置有N+集电极区，N+集电极区与位于晶体管边缘的P+集电极区间隔设置，靠近晶体管边缘的P+集电极区与N+集电极区之间开有氧化槽，本发明的晶体管通过多处优化设计使得器件在消除Snapback现象的同时恢复损耗也得到降低。
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