发明公开
CN1138215A 半导体装置
失效 - 权利终止
- 专利标题: 半导体装置
- 专利标题(英): Semiconductor device
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申请号: CN96103623.0申请日: 1996-03-18
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公开(公告)号: CN1138215A公开(公告)日: 1996-12-18
- 发明人: 上田哲也 , 柴田润 , 山世见之
- 申请人: 三菱电机株式会社
- 申请人地址: 日本东京
- 专利权人: 三菱电机株式会社
- 当前专利权人: 三菱电机株式会社
- 当前专利权人地址: 日本东京
- 代理机构: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
- 代理商 杜日新
- 优先权: 60434/95 1995.03.20 JP
- 主分类号: H01L23/06
- IPC分类号: H01L23/06 ; H01L23/04 ; H01L23/28 ; H01L23/34
摘要:
一种半导体装置,它有一个基板,基板中有一用于并在其中装半导体器元件的空腔和在腔的周边上的降下台阶表面,用于并在其上边装配片状部件。装配在半导体器件和片状部件易于由导体连到外部电路上。基板上加盖并把密封材料灌注到盖和基板之间的空间中使腔密封,并在可以沿着腔的整个周边延伸的降下台阶表面上使片状部件封成囊状包。盖可以包括一个用于紧靠到降下台阶表面侧壁上的凸出,或者降下台阶表面可包括一个侧壁,侧壁有一用于紧靠到盖的周边上的凸出。还可有附加到半导体器件上的散热器。
公开/授权文献
- CN1058109C 半导体器件 公开/授权日:2000-11-01
IPC分类: