公开(公告)号：CN118765485A

公开(公告)日：2024-10-11

申请号：CN202280092684.5

申请日：2022-09-02

申请人： 株式会社村田制作所

发明人： 福光政和

IPC分类号： H03H9/24 ,  H01L23/06 ,  H03H3/02 ,  H10N30/30

摘要： 谐振器(10)具备振动部(120)，该振动部(120)被构成为以规定的振动模式作为主振动进行振动，并且形成于包含磷(P)的硅基板(270)，硅基板(270)的磷(P)的浓度为1.1×1020[1/cm3]以上，碳(C)的浓度为1.1×1018[1/cm3]以下。

公开(公告)号：CN118366931A

公开(公告)日：2024-07-19

申请号：CN202410407600.3

申请日：2024-04-07

申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所

发明人： 李杰 ,  刘少杰 ,  师彬 ,  刘盖 ,  王轲 ,  乔志壮 ,  张崤君 ,  刘林杰

IPC分类号： H01L23/053 ,  H01L23/06 ,  H01L23/08 ,  H01L21/48

摘要： 本发明提供了一种具有应力缓冲结构的表面贴装型陶瓷封装外壳及其制备方法，属于半导体器件陶瓷封装技术领域，包括陶瓷基座以及金属墙体，金属墙体设置于所述陶瓷基座上；金属墙体按厚度不同自上端开口处向下分为加厚的上墙体段和减薄的下墙体减薄段，下墙体减薄段与陶瓷基座相连，下墙体减薄段的厚度小于上墙体段的厚度。金属墙体的下部做减薄处理，这种结构降低了金属墙体与陶瓷焊接位置的结构刚度，使焊接的局部结构更具柔性，从而化解两种结构的热失配，降低应力水平，提升结构可靠性；金属墙体上半部分仍保持较厚的状态，保证结构刚度，避免在外力作用下的变形。

公开(公告)号：CN113675149B

公开(公告)日：2024-04-02

申请号：CN202110911975.X

申请日：2021-08-09

申请人： 泰兴市龙腾电子有限公司

发明人： 张伟 ,  陈虎 ,  陈惠

IPC分类号： H01L23/04 ,  H01L23/06 ,  H01L23/10 ,  H01L23/367 ,  H01L23/495

摘要： 本发明公开了一种具有应力释放结构的引线框架及封装料片，包括：下封装料片；定位组件，复合于所述下封装料片顶部；引线框架，设置于所述定位组件顶部；芯片，焊接于所述引线框架顶部中心位置；高分子高弹膜，复合于所述定位组件顶部；上封装料片，复合于所述高分子高弹膜顶部，所述上封装料片与下封装料片复合对引线框架和芯片封闭。本发明在实际使用时，可为上封装料片释放内应力提供释放空间，避免引起集成电路变形或表面开裂，绝缘性得到保证，对引起芯片与引线框架实施定位，保证了引线框架与芯片的电性连接，延长了集成电路的使用寿命，扩大上封装料片的表面积，使散热性得到提高。

公开(公告)号：CN117690807A

公开(公告)日：2024-03-12

申请号：CN202311727317.0

申请日：2023-12-14

申请人： 无锡中微高科电子有限公司

发明人： 颜炎洪 ,  徐衡 ,  杨清

IPC分类号： H01L21/50 ,  H01L23/04 ,  H01L23/06 ,  H01L23/08 ,  H01L23/10

摘要： 本发明涉及一种AuSn熔封工艺方法，包括以下步骤：取盖板半成品与AuSn合金焊料环；将AuSn合金焊料环叠放在盖板半成品的正面Au环上后放入真空炉中；真空炉进行加热升温，使AuSn合金焊料环与正面Au环焊接在一起，在升温过程中，当温度超过180℃时往真空炉内通入甲酸；停止加热，冷却后取出盖板成品；取待封装的陶瓷管壳；盖板成品翻转后覆盖在陶瓷管壳上一起放入熔封炉中，在氮气氛围下，使AuSn合金环紧贴陶瓷管壳基座正面Au环熔融在一起；冷却得到陶瓷管壳熔封盖板成品。本发明的方法使AuSn合金焊料与盖板本体结合牢固，合金熔封时可以减少孔隙率，提升密封装强度及密封可靠性。

公开(公告)号：CN117497491A

公开(公告)日：2024-02-02

申请号：CN202311461933.6

申请日：2023-11-02

申请人： 合肥圣达电子科技实业有限公司

发明人： 张振文 ,  朱家旭 ,  耿春磊 ,  许海仙 ,  周泽安 ,  黄胜猛

IPC分类号： H01L23/06 ,  H01L23/10 ,  H01L23/053 ,  H01L21/48

摘要： 本发明属于陶瓷管壳技术领域，尤其是一种无焊料陶瓷金属管壳及其制备方法。本发明管壳包括陶瓷覆铜板和金属环框，陶瓷覆铜板的表面镀银层，金属环框通过银层与陶瓷覆铜板固接。本发明陶瓷覆铜板采用局部镀银工艺，基板铜层与镀银高温下的固溶实现环框与基板的焊接，省去了常规工艺必要的银铜焊片、省去银铜焊片和焊片的装架过程。

公开(公告)号：CN117276232A

公开(公告)日：2023-12-22

申请号：CN202311162054.3

申请日：2023-09-11

申请人： 厦门云天半导体科技有限公司

发明人： 赵瑾 ,  于大全

IPC分类号： H01L23/498 ,  H01L21/48 ,  H01L23/04 ,  H01L23/06 ,  H01L23/18 ,  H01L23/367

摘要： 本申请涉及一种芯片封装结构及制作方法，所述芯片封装结构包括依次设置的基板、玻璃中介层、混合薄膜高密度布线层以及芯片，所述玻璃中介层和混合薄膜高密度布线层用于电连接基板和芯片，混合薄膜高密度布线层至少包括一层高密度细线宽布线层和一层光敏布线层。本申请提供制备高密度细线宽的无机介质层可直接在衬底晶圆上由沉积和刻蚀工艺制成，开窗能力可满足细间距要求，与光敏材料充当介质层制备细线宽相比，可极大缓解介质层与衬底之间结合力问题，减小介质层的应力累积，提高了封装过程及真实服役下的可靠性。并且，所制备的高密度金属互连层侧壁平滑无台阶、垂直度高，可降低传输损耗，满足高频高速互连需求。

公开(公告)号：CN117153825A

公开(公告)日：2023-12-01

申请号：CN202311338001.2

申请日：2023-10-16

申请人： 江苏长电科技股份有限公司

发明人： 范荣 ,  高云 ,  严开

IPC分类号： H01L23/552 ,  H01L23/04 ,  H01L23/06 ,  H01L23/367 ,  H01L23/495 ,  H01L21/52

摘要： 一种封装结构及其形成方法，封装结构包括：基板，基板中形成有导电层，基板的正面形成有光感芯片，光感芯片与导电层电连接；封闭墙，设置于基板的正面，封闭墙由相正对的第一挡墙和相正对的第二挡墙围成，光感芯片位于封闭墙围成的空间区域内，第一挡墙中具有第一开口；透镜组件，设置于光感芯片上方且位于封闭墙围成的空间区域内，透镜组件包括多面体透镜以及固定在多面体透镜的两端的转动部，多面体透镜包括多组相对设置的光功能面，光功能面至少包括透光面，转动部设置于第一开口中，以使转动部能够在第一开口中转动。通过多面体透镜来实现多功能的光信号调节，从而提高了封装结构的集成度和小型化。

公开(公告)号：CN117116863A

公开(公告)日：2023-11-24

申请号：CN202210540619.6

申请日：2022-05-17

申请人： 深圳市振华微电子有限公司

发明人： 李迪伽 ,  刘颖潇 ,  敖艳金

IPC分类号： H01L23/06 ,  H01L23/043 ,  H01L23/10

摘要： 本发明涉及一种封装板，包括陶瓷板和金属层，金属层附着于陶瓷板表面，以使陶瓷板表面金属化；至少有两块附着有金属层的陶瓷板贴合焊接形成封装板，其中，金属层用于平衡封装板包括一侧面，侧面设有电路板。本发明的封装板可以通过陶瓷板降低热膨胀系数，通金属层提高封装板的热导率。

公开(公告)号：CN117059578A

公开(公告)日：2023-11-14

申请号：CN202311006958.7

申请日：2023-08-10

申请人： 无锡中微高科电子有限公司

发明人： 肖汉武

IPC分类号： H01L23/06 ,  H01L21/48

摘要： 本发明涉及一种气密封装合金焊料盖板，它包括盖板本体，在对应密封区外围的盖板本体的上表面设有密封区镀层，密封区镀层包括至少一层镀镍层与至少一层镀金层，位于密封区镀层最底层的为镀镍层，位于密封区镀层最表层的为镀金层，在对应密封区外围的密封区镀层的上表面设有PbSnAgIn合金焊料环，在PbSnAgIn合金焊料环的上表面设有表层金层，表层金层完全覆盖所述的PbSnAgIn合金焊料环。本发明的焊料中无助焊剂等有机组分，密封后器件内部不存在由膏状焊料引入的内部气氛问题；解决了PbSnAgIn合金焊料环容易氧化、储存时间短的问题。

公开(公告)号：CN117038582A

公开(公告)日：2023-11-10

申请号：CN202311114922.0

申请日：2023-08-31

申请人： 六安鸿安信电子科技有限公司

发明人： 刘阿敏 ,  严勇飞 ,  王子豪

IPC分类号： H01L23/06 ,  H01L23/08 ,  H01L23/04 ,  H01L23/10 ,  H01L23/367 ,  H01L23/373 ,  C04B41/90 ,  C04B37/02

摘要： 本发明是通过如下的技术方案来实现：一种陶瓷金属封装外壳，包括氧化铝陶瓷外壳，所述氧化铝陶瓷外壳设置框体式结构，所述氧化铝陶瓷外壳内壁上形成有凸条；钨铜底板，所述钨铜底板设置阶梯台结构，所述钨铜底板上半部分为芯区腔体，下半部分为热沉腔体，所述钨铜底板焊接在氧化铝陶瓷外壳，所述芯区腔体对应氧化铝陶瓷外壳内侧凸条部位；可伐合金盖板，所述可伐合金盖板焊接在氧化铝陶瓷外壳上。本发明优点在于，陶瓷拥有良好的气密性，封装后可抵御高温、高湿、腐蚀辐射等极端环境对电子器件的影响；陶瓷拥有和金属匹配的热膨胀系数，机械性能良好，热冲击试验和温度循环试验后几乎不产生损伤。