- 专利标题: 局部氧化物层的制备方法、半导体器件的制备方法
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申请号: CN202111417870.5申请日: 2021-11-26
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公开(公告)号: CN113838797B公开(公告)日: 2022-03-04
- 发明人: 杨紫琪 , 张森
- 申请人: 广州粤芯半导体技术有限公司
- 申请人地址: 广东省广州市黄埔区凤凰五路28号
- 专利权人: 广州粤芯半导体技术有限公司
- 当前专利权人: 粤芯半导体技术股份有限公司
- 当前专利权人地址: 510000 广东省广州市黄埔区凤凰五路28号
- 代理机构: 上海思捷知识产权代理有限公司
- 代理商 冯启正
- 主分类号: H01L21/762
- IPC分类号: H01L21/762
摘要:
本发明提供了一种局部氧化物层的制备方法、半导体器件的制备方法。在局部氧化物层的制备方法中,通过在开口的侧壁上形成含氮材料层以阻挡氧的横向扩散,大大降低了横向扩散至鸟嘴区域的氧含量,使得所形成的局部氧化物层其鸟嘴的尺寸得以缩减。
公开/授权文献
- CN113838797A 局部氧化物层的制备方法、半导体器件的制备方法 公开/授权日:2021-12-24