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公开(公告)号：CN114038758B
公开(公告)日：2022-04-15
申请号：CN202210012683.7
申请日：2022-01-07
申请人： 广州粤芯半导体技术有限公司
IPC分类号： H01L21/336 , H01L21/266
摘要： 本发明提供了一种改善热载流子注入的NMOS的形成方法，包括：提供衬底，在衬底内形成P型阱区；在P型阱区上形成栅极以及位于栅极两侧的侧墙；以侧墙为掩膜，向栅极的两侧的P型阱区内进行N型离子注入，以分别形成源区和漏区；以侧墙为掩膜，分别向源区和漏区下方的P型阱区进行N型离子注入，以形成LDD区；以侧墙为掩膜，向源区和LDD区之间的P型阱区以及在漏区和LDD区之间的P型阱区进行P型离子注入，以形成P型离子区。形成P型离子区可以缓冲源区或漏区到LDD的浓度梯度，以改善热载流子的注入，同时，本发明的LDD区可以选择使用源区和漏区的光罩跟着源区和漏区一起形成，减少了形成LDD区的光罩，节约成本。
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公开(公告)号：CN113838796A
公开(公告)日：2021-12-24
申请号：CN202111417865.4
申请日：2021-11-26
申请人： 广州粤芯半导体技术有限公司
IPC分类号： H01L21/762
摘要： 本发明提供了一种局部氧化物层的制备方法、半导体器件的制备方法。在局部氧化物层的制备方法中，利用第一开口和第二开口定义出需形成局部氧化物层的区域，并使第二开口内具有氮氧化物层以控制氧扩散的速率，避免了大量的氧经由第二开口横向扩散至鸟嘴区域，同时第一开口至第二开口之间的距离形成了氧横向扩散的缓冲区域，大大降低了氧经由第一开口横向扩散至鸟嘴区域的含量，使得最终所形成的鸟嘴的尺寸得以缩减。
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公开(公告)号：CN114038758A
公开(公告)日：2022-02-11
申请号：CN202210012683.7
申请日：2022-01-07
申请人： 广州粤芯半导体技术有限公司
IPC分类号： H01L21/336 , H01L21/266
摘要： 本发明提供了一种改善热载流子注入的NMOS的形成方法，包括：提供衬底，在衬底内形成P型阱区；在P型阱区上形成栅极以及位于栅极两侧的侧墙；以侧墙为掩膜，向栅极的两侧的P型阱区内进行N型离子注入，以分别形成源区和漏区；以侧墙为掩膜，分别向源区和漏区下方的P型阱区进行N型离子注入，以形成LDD区；以侧墙为掩膜，向源区和LDD区之间的P型阱区以及在漏区和LDD区之间的P型阱区进行P型离子注入，以形成P型离子区。形成P型离子区可以缓冲源区或漏区到LDD的浓度梯度，以改善热载流子的注入，同时，本发明的LDD区可以选择使用源区和漏区的光罩跟着源区和漏区一起形成，减少了形成LDD区的光罩，节约成本。
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公开(公告)号：CN113838796B
公开(公告)日：2022-03-04
申请号：CN202111417865.4
申请日：2021-11-26
申请人： 广州粤芯半导体技术有限公司
IPC分类号： H01L21/762
摘要： 本发明提供了一种局部氧化物层的制备方法、半导体器件的制备方法。在局部氧化物层的制备方法中，利用第一开口和第二开口定义出需形成局部氧化物层的区域，并使第二开口内具有氮氧化物层以控制氧扩散的速率，避免了大量的氧经由第二开口横向扩散至鸟嘴区域，同时第一开口至第二开口之间的距离形成了氧横向扩散的缓冲区域，大大降低了氧经由第一开口横向扩散至鸟嘴区域的含量，使得最终所形成的鸟嘴的尺寸得以缩减。
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公开(公告)号：CN113838797A
公开(公告)日：2021-12-24
申请号：CN202111417870.5
申请日：2021-11-26
申请人： 广州粤芯半导体技术有限公司
IPC分类号： H01L21/762
摘要： 本发明提供了一种局部氧化物层的制备方法、半导体器件的制备方法。在局部氧化物层的制备方法中，通过在开口的侧壁上形成含氮材料层以阻挡氧的横向扩散，大大降低了横向扩散至鸟嘴区域的氧含量，使得所形成的局部氧化物层其鸟嘴的尺寸得以缩减。
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公开(公告)号：CN113838797B
公开(公告)日：2022-03-04
申请号：CN202111417870.5
申请日：2021-11-26
申请人： 广州粤芯半导体技术有限公司
IPC分类号： H01L21/762
摘要： 本发明提供了一种局部氧化物层的制备方法、半导体器件的制备方法。在局部氧化物层的制备方法中，通过在开口的侧壁上形成含氮材料层以阻挡氧的横向扩散，大大降低了横向扩散至鸟嘴区域的氧含量，使得所形成的局部氧化物层其鸟嘴的尺寸得以缩减。
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