一种包含自对准金属硅化物的半导体器件及其制备方法

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CN113838939B 一种包含自对准金属硅化物的半导体器件及其制备方法有权

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专利标题： 一种包含自对准金属硅化物的半导体器件及其制备方法
申请号： CN202010581022.7

申请日： 2020-06-23
公开(公告)号： CN113838939B

公开(公告)日： 2023-08-29
发明人: 刘宇霈 , 门思成
申请人： 和舰芯片制造(苏州)股份有限公司
申请人地址： 江苏省苏州市苏州工业园区星华街333号
专利权人： 和舰芯片制造(苏州)股份有限公司
当前专利权人： 和舰芯片制造(苏州)股份有限公司
当前专利权人地址： 江苏省苏州市苏州工业园区星华街333号
代理机构： 北京连和连知识产权代理有限公司
代理商 刘小峰
主分类号： H01L29/872
IPC分类号： H01L29/872 ; H01L21/329 ; H01L29/06 ; H01L29/47

摘要：

本发明公开了提供一种包含自对准金属硅化物的半导体器件，包含：P型衬底；形成于所述P型衬底上方的轻掺杂N阱；形成于所述轻掺杂N阱上方的自对准金属硅化物；其中，所述轻掺杂N阱邻近所述自对准金属硅化物处包含表面改性区。该半导体器件有助于提高沉积金属的均匀性，消除自对准金属硅化物形成过程中的孔洞，从根本上改善击穿电压掉点的问题。本发明同时提供一种包含自对准金属硅化物的半导体器件的制备方法。

公开/授权文献

CN113838939A 一种包含自对准金属硅化物的半导体器件及其制备方法公开/授权日：2021-12-24

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IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L29/00	专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件（H01L31/00至H01L47/00，H01L51/05优先；除半导体或其电极之外的零部件入H01L23/00；由在一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L27/00）
H01L29/66	.按半导体器件的类型区分的
H01L29/86	..只能通过对一个或多个通有待整流，放大、振荡或切换的电流的电极供给电流的变化或施加电位的变化方可进行控制的（H01L29/96优先）
H01L29/861	...二极管
H01L29/872	....肖特基二极管