本发明提供了一种半模加脊方同轴基片集成波导互连装置，包括自上而下依次设置的金属层L1，介质层L2，金属层L3，介质层L4和金属层L5；在金属层L1与金属层L5之间设置有金属化通孔阵列，所述金属层L3包含一非接地金属和一接地金属，所述接地金属为所述半模加脊方同轴基片集成波导互连装置的脊，所述接地金属被金属化通孔贯穿；所述金属层L3的非接地金属构成内导体；所述金属层L1、金属层L3的接地金属、金属层L5、金属化通孔阵列构成外导体；介质层L2与介质层L4采用介电常数不同的两种介质。本发明使用了两个介电常数，并作为设计参数，使得设计自由度有显著的提升，更能适应复杂的复合介质环境的互连需求。