发明授权
- 专利标题: 树脂基中子屏蔽材料及其制备方法
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申请号: CN202111229800.7申请日: 2021-10-22
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公开(公告)号: CN113878773B公开(公告)日: 2022-08-09
- 发明人: 刘兆阳 , 孙帅 , 赵立勋 , 张强 , 曹攀 , 孟雷 , 范占国 , 甘谛
- 申请人: 中国原子能科学研究院
- 申请人地址: 北京市房山区新镇三强路1号院
- 专利权人: 中国原子能科学研究院
- 当前专利权人: 中国原子能科学研究院
- 当前专利权人地址: 北京市房山区新镇三强路1号院
- 代理机构: 北京市创世宏景专利商标代理有限责任公司
- 代理商 刘向辉
- 主分类号: B29C39/22
- IPC分类号: B29C39/22 ; B29B13/00 ; B29B7/82 ; B29B7/74
摘要:
本发明的实施例公开了一种树脂基中子屏蔽材料及其制备方法,其中,所述制备方法包括:将树脂和无机填料中的一部分在预设混料温度下混合均匀并脱泡,得到第一预混料;其中,所述无机填料至少包括中子吸收剂和阻燃剂;将固化剂、促进剂和无机填料中的剩余部分在预设混料温度下混合均匀并脱泡,得到第二预混料;将第一预混料和第二预混料在预设混料温度下混合均匀,得到混合物料;控制所述混合物料在预设固化温度下固化成型。采用上述制备方法,保证了最终混合物料的均匀性,进而保证了中子屏蔽材料的均匀性。
公开/授权文献
- CN113878773A 树脂基中子屏蔽材料及其制备方法 公开/授权日:2022-01-04