发明公开
- 专利标题: 用于分析芯片老化的模拟仿真方法、装置及系统
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申请号: CN202111088795.2申请日: 2021-09-16
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公开(公告)号: CN113887025A公开(公告)日: 2022-01-04
- 发明人: 赵东艳 , 陈燕宁 , 刘芳 , 付振 , 王帅鹏 , 王凯 , 邓永峰 , 郁文 , 刘倩倩 , 潘成 , 林文彬
- 申请人: 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京芯可鉴科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国家电网有限公司 , 国网福建省电力有限公司电力科学研究院
- 申请人地址: 北京市海淀区西小口路66号中关村东升科技园A区3号楼; ; ; ;
- 专利权人: 北京智芯微电子科技有限公司,北京芯可鉴科技有限公司,国网信息通信产业集团有限公司,国家电网有限公司,国网福建省电力有限公司电力科学研究院
- 当前专利权人: 北京智芯微电子科技有限公司,北京芯可鉴科技有限公司,国网信息通信产业集团有限公司,国家电网有限公司,国网福建省电力有限公司电力科学研究院
- 当前专利权人地址: 北京市海淀区西小口路66号中关村东升科技园A区3号楼; ; ; ;
- 代理机构: 北京润平知识产权代理有限公司
- 代理商 陈潇潇; 李红
- 主分类号: G06F30/20
- IPC分类号: G06F30/20 ; G06F119/04 ; G06F119/06
摘要:
本发明提供一种用于分析芯片老化的模拟仿真方法、装置及系统,属于芯片老化分析领域。所述方法包括:获取芯片上各器件的热网表和第一电网表;根据器件的热网表确定该器件在工作过程中的工作温度;根据器件的第一电网表获取该器件在工作温度下对应的电学参数;根据器件在工作温度下的电学参数,通过模拟仿真得到该器件老化后的性能参数;根据各器件的老化后的性能参数,通过模拟仿真得到所述芯片老化后的性能变化。基于热网表和第一电网表进行仿真得到各个器件在工作温度下老化后的电学参数,然后再根据老化后的电学参数仿真得到芯片老化后的性能参数,在进行芯片老化仿真时充分考虑不同器件各自的温度,使得老化仿真结果更准确。