发明公开
- 专利标题: 半导体装置及半导体装置的制造方法
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申请号: CN202080036268.4申请日: 2020-06-26
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公开(公告)号: CN113892181A公开(公告)日: 2022-01-04
- 发明人: 宫崎俊彦 , 川原雄基 , 铃木毅 , 饭岛匡
- 申请人: 索尼半导体解决方案公司
- 申请人地址: 日本神奈川县
- 专利权人: 索尼半导体解决方案公司
- 当前专利权人: 索尼半导体解决方案公司
- 当前专利权人地址: 日本神奈川县
- 代理机构: 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司
- 代理商 王新春; 曹正建
- 优先权: 2019-119167 20190626 JP
- 国际申请: PCT/JP2020/025146 2020.06.26
- 国际公布: WO2020/262583 JA 2020.12.30
- 进入国家日期: 2021-11-15
- 主分类号: H01L27/146
- IPC分类号: H01L27/146 ; H01L23/552 ; H01L25/18 ; H04N5/357 ; H04N5/374
摘要:
本发明提供了一种具有由多个基板构成的多层结构的半导体装置,其中:能够抑制上侧基板和下侧基板上形成的元件之间的噪声或热的传播;并且也能够抑制所述元件的特性劣化。该半导体装置设置有:第一基板,其包括包含第一有源元件的第一元件层、布置在所述第一元件层上的第一配线层和布置在所述第一配线层上且包含导电材料的屏蔽层;以及第二基板,其包括布置在所述屏蔽层上且包含第二有源元件的第二元件层和布置在所述第二元件层上的第二配线层。所述第一基板和所述第二基板彼此层叠。
IPC分类: