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公开(公告)号：CN118575277A
公开(公告)日：2024-08-30
申请号：CN202380018036.X
申请日：2023-01-20
申请人： 索尼半导体解决方案公司
IPC分类号： H01L27/146 , H01L21/336 , H01L21/8234 , H01L27/06 , H01L29/78 , H04N25/70
摘要： 本发明提供一种可以实现短沟道抑制和晶体管特性变化抑制这两者的半导体装置。所述半导体装置包括半导体基板和设置在所述半导体基板上的场效应晶体管。所述场效应晶体管包括：形成有沟道的扩散层区域；栅电极部，其覆盖所述扩散层区域的至少一部分，并且具有面向所述扩散层区域的侧面的侧壁部和面向所述扩散层区域的上面的顶板部；源极区域，其设置在所述扩散层区域中，并且连接到所述栅电极部的一侧；和漏极区域，其设置在所述扩散层区域中，并且连接到所述栅电极部的另一侧。在所述栅电极部中，所述侧壁部和所述顶板部具有自对准结构。所述源极区域和所述漏极区域通过将杂质倾斜地注入到所述栅电极部的侧壁部中以自对准的方式形成。
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公开(公告)号：CN113519068A
公开(公告)日：2021-10-19
申请号：CN202080018823.0
申请日：2020-03-16
申请人： 索尼半导体解决方案公司
发明人： 川原雄基
IPC分类号： H01L31/107 , H01L31/10 , H01L27/146 , H04N5/369
摘要： 本发明的目的是在抑制分辨率降低的同时使雪崩放大稳定地产生。根据实施例的固态摄像装置包括：设置在所述第一半导体基板(101)中的由沟槽限定的元件区域中的光电转换区域(102)；围绕所述光电转换区域的第一半导体区域(104)；在所述沟槽底部与所述第一半导体区域接触的第一接触部(108)；设置在与所述第一半导体区域接触的区域中并且具有与所述第一半导体区域相同的第一导电型的第二半导体区域(105)；第三半导体区域(106)，其是与所述第二半导体区域接触的区域，并设置在所述第二半导体区域与第一表面之间，并具有与所述第一导电型相反的第二导电型；以及设置在所述第一表面上以与所述第三半导体区域接触的第二接触部(107)。所述第一接触部距所述第一表面的高度不同于所述第三半导体区域距所述第一表面的高度。
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公开(公告)号：CN117116954A
公开(公告)日：2023-11-24
申请号：CN202310914248.8
申请日：2020-03-16
申请人： 索尼半导体解决方案公司
发明人： 川原雄基
IPC分类号： H01L27/146 , H04N25/78 , H04N25/77
摘要： 本发明涉及固态摄像装置和电子设备。其中，固态摄像装置可包括：半导体基板，所述半导体基板包括第一沟槽和沿着所述第一沟槽的底部设置的第二沟槽；以及光电转换元件，所述光电转换元件包括：光电转换区域，所述光电转换区域设置在由所述第一沟槽和所述第二沟槽限定的元件区域中；半导体区域，所述半导体区域在所述元件区域内围绕所述光电转换区域；接触部，所述接触部在所述第一沟槽的底部与所述半导体区域接触；电极，所述电极在所述第一沟槽中与所述接触部接触；其中，所述接触部在所述半导体区域的外周的一部分处与所述半导体区域接触。
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公开(公告)号：CN114616670A
公开(公告)日：2022-06-10
申请号：CN202080074083.2
申请日：2020-11-10
申请人： 索尼半导体解决方案公司
IPC分类号： H01L27/146 , H01L31/107 , H04N5/369
摘要： 根据实施例的固态摄像装置设有：光电转换区域，其设置在半导体基板中由沟槽限定的元件区域中；第一半导体区域，其包围光电转换区域；第一触点，其在沟槽的底部处与第一半导体区域接触；第一电极，其与第一沟槽中的第一触点接触；第二半导体区域，其设置在与第一半导体区域接触的区域中，并且具有与第一半导体区域的导电类型相同的第一导电类型；第三半导体区域，其邻接第二半导体区域，设置在第二半导体区域和第一表面之间，并且具有与第一导电类型相反的第二导电类型；第二触点，其设置在第一表面上以与第三半导体区域接触；和第二电极，其与第二触点接触。所述第一触点和所述第一电极相接触所处的第二表面相对于所述第一表面倾斜。
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公开(公告)号：CN116686097A
公开(公告)日：2023-09-01
申请号：CN202180081142.3
申请日：2021-12-14
申请人： 索尼半导体解决方案公司
IPC分类号： H01L31/0232
摘要： 本发明提供了一种功能增强的光电转换元件。光电转换元件包括：半导体基板；第一光电转换部，其设置在所述半导体基板上，检测并光电转换第一波长范围内的光；第二光电转换部，其设置在所述半导体基板内的在所述半导体基板的厚度方向上与第一光电转换部重叠的位置处，检测并光电转换第二波长范围内的光；滤光器，其在所述厚度方向上设置在所述第一光电转换部与所述第二光电转换部之间，并且所述第二波长范围内的光比所述第一波长范围内的光更容易通过所述滤光器；以及第一遮光部件，其沿着与所述厚度方向正交的平面包围所述滤光器以在沿着所述平面的平面方向上至少部分地与所述滤光器重叠，并至少对所述第二波长范围内的光进行遮光。
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公开(公告)号：CN115702499A
公开(公告)日：2023-02-14
申请号：CN202180041616.1
申请日：2021-04-06
申请人： 索尼半导体解决方案公司
IPC分类号： H01L27/04 , H01L21/822 , H01L27/146 , H01L31/10 , H01L31/107 , H04N25/70
摘要： [问题]为了提供能够减小电阻元件用的电极之间的寄生电容的半导体装置及其制造方法。[技术方案]根据本公开的半导体装置包括：基板；设置在所述基板上的第一电阻层；与所述第一电阻层的下表面接触的第一电极；以及与所述第一电阻层的上表面接触的第二电极。
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公开(公告)号：CN117080233A
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN202310913557.3
申请日：2020-03-16
申请人： 索尼半导体解决方案公司
发明人： 川原雄基
IPC分类号： H01L27/146 , H04N25/78 , H04N25/77
摘要： 本发明涉及固态摄像装置和电子设备。其中，所述固态摄像装置可包括：半导体基板，所述半导体基板包括设置在第一表面中的第一沟槽和沿着所述第一沟槽的底部设置的第二沟槽；以及第一光电转换区域，设置在所述半导体基板中，第二光电转换区域，设置在所述半导体基板中且与所述第一光电转换区域相邻，第三光电转换区域，设置在所述半导体基板中，且与所述第二光电转换区域相邻，其中，半导体区域设置在所述第一光电转换区域和所述第二光电转换区域之间并且设置在所述第二光电转换区域和所述第三光电转换区域之间，其中，所述第一沟槽和第二沟槽设置在所述第二光电转换区域和所述第三光电转换区域之间，并且其中，第一电极设置在所述第一沟槽中。
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公开(公告)号：CN113519068B
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN202080018823.0
申请日：2020-03-16
申请人： 索尼半导体解决方案公司
发明人： 川原雄基
IPC分类号： H01L31/107 , H01L31/10 , H01L27/146 , H04N25/70
摘要： 本发明的目的是在抑制分辨率降低的同时使雪崩放大稳定地产生。根据实施例的固态摄像装置包括：设置在所述第一半导体基板(101)中的由沟槽限定的元件区域中的光电转换区域(102)；围绕所述光电转换区域的第一半导体区域(104)；在所述沟槽底部与所述第一半导体区域接触的第一接触部(108)；设置在与所述第一半导体区域接触的区域中并且具有与所述第一半导体区域相同的第一导电型的第二半导体区域(105)；第三半导体区域(106)，其是与所述第二半导体区域接触的区域，并设置在所述第二半导体区域与第一表面之间，并具有与所述第一导电型相反的第二导电型；以及设置在所述第一表面上以与所述第三半导体区域接触的第二接触部(107)。所述第一接触部距所述第一表面的高度不同于所述第三半导体区域距所述第一表面的高度。
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公开(公告)号：CN113892181A
公开(公告)日：2022-01-04
申请号：CN202080036268.4
申请日：2020-06-26
申请人： 索尼半导体解决方案公司
IPC分类号： H01L27/146 , H01L23/552 , H01L25/18 , H04N5/357 , H04N5/374
摘要： 本发明提供了一种具有由多个基板构成的多层结构的半导体装置，其中：能够抑制上侧基板和下侧基板上形成的元件之间的噪声或热的传播；并且也能够抑制所述元件的特性劣化。该半导体装置设置有：第一基板，其包括包含第一有源元件的第一元件层、布置在所述第一元件层上的第一配线层和布置在所述第一配线层上且包含导电材料的屏蔽层；以及第二基板，其包括布置在所述屏蔽层上且包含第二有源元件的第二元件层和布置在所述第二元件层上的第二配线层。所述第一基板和所述第二基板彼此层叠。
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