发明授权
- 专利标题: 一种提高刻蚀效率的制造方法
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申请号: CN202111219997.6申请日: 2021-10-20
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公开(公告)号: CN113900353B公开(公告)日: 2023-09-19
- 发明人: 孙冰丽 , 陈军 , 王亚萍 , 孙健 , 苏晓华 , 常夏森 , 宋祎杰 , 丁福康
- 申请人: 河南仕佳光子科技股份有限公司
- 申请人地址: 河南省鹤壁市淇滨区国家经济技术开发区延河路201号
- 专利权人: 河南仕佳光子科技股份有限公司
- 当前专利权人: 河南仕佳光子科技股份有限公司
- 当前专利权人地址: 河南省鹤壁市淇滨区国家经济技术开发区延河路201号
- 代理机构: 郑州优盾知识产权代理有限公司
- 代理商 栗改
- 主分类号: G03F1/80
- IPC分类号: G03F1/80 ; G02B6/136 ; G02B6/125 ; G02B6/124 ; G02B6/132
摘要:
本发明提出了一种提高刻蚀效率的制造方法,用以解决现有半导体芯片制造过程中,由于除波导外空白面积较大进而导致刻蚀工艺时间较长的问题。本发明的步骤为:根据半导体芯片的波导得到设计图形,在设计图形的周围设计马赛克图形,得到掩膜版图;根据掩膜版图制作芯片的掩膜版。本发明只需要在掩膜版图绘制的时候,在原来的掩膜版图周围生成马赛克,在不增加生产工艺流程和生产成本的情况下,能够有效缩短刻蚀工艺时间,提高了刻蚀效率,从而提高半导体芯片的整体生产效率。
公开/授权文献
- CN113900353A 一种提高刻蚀效率的制造方法 公开/授权日:2022-01-07