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公开(公告)号：CN115826145A
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN202211378187.X
申请日：2022-11-04
申请人： 河南仕佳光子科技股份有限公司
IPC分类号： G02B6/35
摘要： 本发明提出了一种分光比可调的Y分支光分路器及其制备方法，用以解决现有非均分光分路器不能实现分光比精确控制的技术问题。本发明的Y分支光分路器包括衬底，衬底上固定有输入波导，所述衬底上放置有可移动输出波导，可移动输出波导的输入端与输入波导的输出端相对应，衬底的两侧设有微型激励器，可移动输出波导与微型激励器固定连接，微型激励器带动可移动输出波导水平移动。本发明通过微型激励器调节可移动输出波导实现分光比可调谐的功能，通过引入辅助输出波导，降低总附加损耗，提高产品性能，基本可实现分光比从0~100%之间可调谐的光分路器，通过与其他Y分支级联，极大拓宽应用场景。
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公开(公告)号：CN111007592A
公开(公告)日：2020-04-14
申请号：CN201911156789.9
申请日：2019-11-22
申请人： 河南仕佳光子科技股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种缩短耦合长度的3dB定向耦合器及其制作方法，包括基底，基底上从下至上依次覆盖有下包层、中间包层和上包层，中间包层中设有第一耦合波导，上包层中设有第二耦合波导，且第一耦合波导和第二耦合波导上均设有弧形波导和直波导，且弧形波导设置在直波导的中部；第一耦合波导的弧形波导的突出部与第二耦合波导的弧形波导的突出部相对应并组成耦合区。本发明中第一耦合波导和第二耦合波导不在同一平面中，且第一耦合波导和第二耦合波导组成了耦合区，入射光入射后在耦合区电信号通过消逝场在上下分布的第一耦合波导和第二耦合波导中进行耦合，可以有效的缩短定向耦合器的耦合长度，减少插入损耗，扩大工艺容差，提高耦合效率。
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公开(公告)号：CN115802260A
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202211480787.7
申请日：2022-11-24
申请人： 河南仕佳光子科技股份有限公司
摘要： 本发明提出了一种干涉型光芯片，用以解决现有微型光学麦克风尺寸有限，不能实现声光信号的灵敏传输的技术问题。本发明包括输入波导和输出波导，所述输入波导和输出波导之间设有耦合区，输入波导含有3个输入端口，输出波导有2个或者3个输出端口，耦合区采用DC结构或MMI结构。本发明采用超高折射率差的半导体芯片工艺，可缩小芯片的尺寸，并有很好的声光灵敏度。
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公开(公告)号：CN115390188A
公开(公告)日：2022-11-25
申请号：CN202211166371.8
申请日：2022-09-23
申请人： 河南仕佳光子科技股份有限公司
摘要： 本发明提出了一种波长不敏感非均分Y分支光分路器及其设计方法，属于光纤到户光分配器件的技术领域，用以解决传统平面波导非均分光分路器WDL较大的技术问题。包括如下步骤：首先确定波导各组件的参数，然后构建不同宽度输出波导Ⅰ和输出波导Ⅱ的Y分支结构，利用三维光束传播法对不同Add进行扫描，确定不同分光比所对应的Add；利用三维光束传播法分别扫描EW1和EW2，计算波长相关损耗WDL；得到波长不敏感非均分Y分支结构。本发明通过控制输出波导Ⅰ和输出波导Ⅱ的宽度，实现光功率的非均分效果。通过优化过度波导与输出波导的横向相对位置，提高光场与输出波导中的匹配度和耦合效率，从而降低WDL。
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公开(公告)号：CN115390188B
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202211166371.8
申请日：2022-09-23
申请人： 河南仕佳光子科技股份有限公司
摘要： 本发明提出了一种波长不敏感非均分Y分支光分路器及其设计方法，属于光纤到户光分配器件的技术领域，用以解决传统平面波导非均分光分路器WDL较大的技术问题。包括如下步骤：首先确定波导各组件的参数，然后构建不同宽度输出波导Ⅰ和输出波导Ⅱ的Y分支结构，利用三维光束传播法对不同Add进行扫描，确定不同分光比所对应的Add；利用三维光束传播法分别扫描EW1和EW2，计算波长相关损耗WDL；得到波长不敏感非均分Y分支结构。本发明通过控制输出波导Ⅰ和输出波导Ⅱ的宽度，实现光功率的非均分效果。通过优化过度波导与输出波导的横向相对位置，提高光场与输出波导中的匹配度和耦合效率，从而降低WDL。
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公开(公告)号：CN117826322A
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202410148371.8
申请日：2024-02-02
申请人： 河南仕佳光子科技股份有限公司
摘要： 本发明提出了一种双微环辅助马赫‑曾德尔干涉仪的矩形光滤波器，属于光电子与光通讯的技术领域，用以解决其它矩形滤波器边缘不够陡峭以及带宽太小等问题。本发明矩形光滤波器包括：输入波导，输入波导经Y分支后分成第一干涉臂和第二干涉臂，第一干涉臂和第二干涉臂长度不等；第一微环谐振器，与第一干涉臂相耦合；第二微环谐振器，与第二干涉臂相耦合；定向耦合器，与第一干涉臂和第二干涉臂的输出端连接，将第一干涉臂和第二干涉臂中的输出光信号进行干涉后输出。本发明通过设计双微环与马赫‑曾德尔干涉仪的结构参数，得到了顶部平坦，边沿陡峭的矩形滤波效果。这种设计结构简单，滤波带宽宽度可调，同时克服了以往设计边缘不够陡峭的问题。
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公开(公告)号：CN113900353B
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202111219997.6
申请日：2021-10-20
申请人： 河南仕佳光子科技股份有限公司
摘要： 本发明提出了一种提高刻蚀效率的制造方法，用以解决现有半导体芯片制造过程中，由于除波导外空白面积较大进而导致刻蚀工艺时间较长的问题。本发明的步骤为：根据半导体芯片的波导得到设计图形，在设计图形的周围设计马赛克图形，得到掩膜版图；根据掩膜版图制作芯片的掩膜版。本发明只需要在掩膜版图绘制的时候，在原来的掩膜版图周围生成马赛克，在不增加生产工艺流程和生产成本的情况下，能够有效缩短刻蚀工艺时间，提高了刻蚀效率，从而提高半导体芯片的整体生产效率。
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公开(公告)号：CN113900353A
公开(公告)日：2022-01-07
申请号：CN202111219997.6
申请日：2021-10-20
申请人： 河南仕佳光子科技股份有限公司
摘要： 本发明提出了一种提高刻蚀效率的制造方法，用以解决现有半导体芯片制造过程中，由于除波导外空白面积较大进而导致刻蚀工艺时间较长的问题。本发明的步骤为：根据半导体芯片的波导得到设计图形，在设计图形的周围设计马赛克图形，得到掩膜版图；根据掩膜版图制作芯片的掩膜版。本发明只需要在掩膜版图绘制的时候，在原来的掩膜版图周围生成马赛克，在不增加生产工艺流程和生产成本的情况下，能够有效缩短刻蚀工艺时间，提高了刻蚀效率，从而提高半导体芯片的整体生产效率。
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