Invention Grant
CN1139130C 互补金属氧化物半导体静态随机存取存储器件
失效 - 权利终止
- Patent Title: 互补金属氧化物半导体静态随机存取存储器件
- Patent Title (English): CMOS static random access memory devices
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Application No.: CN98118861.3Application Date: 1998-08-31
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Publication No.: CN1139130CPublication Date: 2004-02-18
- Inventor: 金成奉 , 金基俊 , 尹钟密
- Applicant: 三星电子株式会社
- Applicant Address: 韩国京畿道
- Assignee: 三星电子株式会社
- Current Assignee: 三星电子株式会社
- Current Assignee Address: 韩国京畿道
- Agency: 中国专利代理(香港)有限公司
- Agent 吴增勇; 叶恺东
- Priority: 72550/1997 1997.12.23 KR
- Main IPC: H01L27/11
- IPC: H01L27/11 ; H01L27/04
Abstract:
一种能减小全CMOS SRAM单元的纵横比的半导体器件，所述单元包括：由串联连接的第一传送晶体管和第一驱动晶体管的漏区形成的第一公共区；由串联连接的第二传送晶体管和第二驱动晶体管的漏区形成的第二公共区；设置在第一和第二公共区之间而邻近第一公共区的第一负载晶体管的漏区；设置在第一负载晶体管的漏区和第二公共区之间的第二负载晶体管的漏区；第一和第二栅极层，它们通常彼此平行布置；以及第一和第二互连层。
Public/Granted literature
- CN1224243A 互补金属氧化物半导体静态随机存取存储器件 Public/Granted day:1999-07-28
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IPC分类:
