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公开(公告)号：CN105336584B
公开(公告)日：2019-12-27
申请号：CN201510474350.6
申请日：2015-08-05
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/027
Abstract: 本发明提供了一种细微图案化方法以及一种制造半导体器件的方法。所述细微图案化方法包括步骤：在底层上形成具有下掩模层和上掩模层的掩模层；在掩模层上形成一对牺牲图案；形成牺牲图案之间的连接间隔件和通过介于它们之间的所述一对牺牲图案彼此间隔开并覆盖牺牲图案的侧表面的第一间隔件；利用第一间隔件和连接间隔件作为蚀刻掩模来蚀刻上掩模层，以形成上掩模图案；形成第二间隔件，以覆盖上掩模图案的侧表面；利用第二间隔件作为蚀刻掩模来蚀刻下掩模层，以形成下掩模图案；以及利用下掩模图案作为蚀刻掩模来蚀刻底层。
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公开(公告)号：CN1139130C
公开(公告)日：2004-02-18
申请号：CN98118861.3
申请日：1998-08-31
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L27/11 , H01L27/1104 , Y10S257/903
Abstract: 一种能减小全CMOS SRAM单元的纵横比的半导体器件，所述单元包括：由串联连接的第一传送晶体管和第一驱动晶体管的漏区形成的第一公共区；由串联连接的第二传送晶体管和第二驱动晶体管的漏区形成的第二公共区；设置在第一和第二公共区之间而邻近第一公共区的第一负载晶体管的漏区；设置在第一负载晶体管的漏区和第二公共区之间的第二负载晶体管的漏区；第一和第二栅极层，它们通常彼此平行布置；以及第一和第二互连层。
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公开(公告)号：CN105336584A
公开(公告)日：2016-02-17
申请号：CN201510474350.6
申请日：2015-08-05
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/027
Abstract: 本发明提供了一种细微图案化方法以及一种制造半导体器件的方法。所述细微图案化方法包括步骤：在底层上形成具有下掩模层和上掩模层的掩模层；在掩模层上形成一对牺牲图案；形成牺牲图案之间的连接间隔件和通过介于它们之间的所述一对牺牲图案彼此间隔开并覆盖牺牲图案的侧表面的第一间隔件；利用第一间隔件和连接间隔件作为蚀刻掩模来蚀刻上掩模层，以形成上掩模图案；形成第二间隔件，以覆盖上掩模图案的侧表面；利用第二间隔件作为蚀刻掩模来蚀刻下掩模层，以形成下掩模图案；以及利用下掩模图案作为蚀刻掩模来蚀刻底层。
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公开(公告)号：CN101383349B
公开(公告)日：2011-12-21
申请号：CN200810166500.7
申请日：2003-01-07
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11 , H01L23/522
CPC classification number: H01L27/11 , H01L27/1104
Abstract: 本发明公开一种SRAM单元，包括：半导体衬底；设置在半导体衬底内的第一有源区；邻近第一有源区的第二有源区，第二有源区包括基本上平行于第一有源区的驱动晶体管有源区、从驱动晶体管有源区的中心区域沿着相反于第一有源区的方向延伸的接地源极区、以及从驱动晶体管有源区的相对端沿着相反于第一有源区的方向延伸的第一和第二传输有源区；暴露出接地源极区的一部分的地线接触孔，地线接触孔被构造成由该单元和相邻单元共享；以及横穿第一和第二传输晶体管有源区的地线，地线具有延伸以覆盖地线接触孔并通过地线接触孔电连接到接地源极区的一部分，该部分还被构造成电连接到相邻单元的地线上。
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公开(公告)号：CN1302554C
公开(公告)日：2007-02-28
申请号：CN03100919.0
申请日：2003-01-07
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11
CPC classification number: H01L27/11 , H01L27/1104
Abstract: 本发明公开一种SRAM单元和器件。SRAM单元可与相邻单元共享连线，该连线包括接地、电源电压和/或位线连线。还提供包括设在半导体衬底中的第一和第二有源区的SRAM单元和器件。平行的第一和第二栅极电极横穿第一和第二有源区。第一有源区靠近第一栅极电极的一端通过平行于第一栅极电极的第一节点线电连接至靠近第一栅极电极的第二有源区，而第一有源区靠近第二栅极电极的另一端经平行于第二栅极电极的第二节点线电连接至靠近第二栅极电极的第二有源区。第一节点线经横穿第一节点线的第一局部互连电连接至第二栅极电极，第二节点线经横穿第二节点线的第二局部互连电连接至第一栅极电极。另外字线可直接接触SRAM单元的传输晶体管的栅极电极。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1637613A
公开(公告)日：2005-07-13
申请号：CN200410095448.2
申请日：2004-10-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G03F7/20 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/70991 , Y10S414/14
Abstract: 提供一种光刻装置，包括：在基板上涂覆抗蚀剂的涂胶机；存放从涂胶机提供的基板的第一缓冲器；对从第一缓冲器提供的基板进行烘焙的烘焙器；转动从烘焙器提供的基板的第一转台；使基板与涂胶机、第一缓冲器、烘焙器以及第一转台相互通信的第一传送器；对从第一转台提供的基板进行曝光的曝光机；对从曝光机提供的基板上的抗蚀剂进行显影的显影机；以及使得基板与第一转台、曝光机以及显影机相互通信的第二传送器。
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公开(公告)号：CN1531109A
公开(公告)日：2004-09-22
申请号：CN200410007497.6
申请日：2004-03-05
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L27/04 , H01L21/336 , H01L21/8234
CPC classification number: H01L23/522 , H01L21/76895 , H01L21/823842 , H01L21/823871 , H01L2924/0002 , Y10S257/90 , H01L2924/00
Abstract: 提供包括半导体衬底和栅极线的半导体器件。栅极线在半导体衬底上并且包括以指定顺序层叠在半导体衬底上的栅绝缘图形和栅电极。在栅极线的侧壁上形成的隔片；在栅极线上形成导电线条图形。导电线条图形平行于栅极线和电连接到栅电极。
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公开(公告)号：CN100541816C
公开(公告)日：2009-09-16
申请号：CN200410007497.6
申请日：2004-03-05
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L27/04 , H01L21/336 , H01L21/8234
CPC classification number: H01L23/522 , H01L21/76895 , H01L21/823842 , H01L21/823871 , H01L2924/0002 , Y10S257/90 , H01L2924/00
Abstract: 提供包括半导体衬底和栅极线的半导体器件。栅极线在半导体衬底上并且包括以指定顺序层叠在半导体衬底上的栅绝缘图形和栅电极。在栅极线的侧壁上形成的隔片；在栅极线上形成导电线条图形。导电线条图形平行于栅极线和电连接到栅电极。
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公开(公告)号：CN101383349A
公开(公告)日：2009-03-11
申请号：CN200810166500.7
申请日：2003-01-07
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11 , H01L23/522
CPC classification number: H01L27/11 , H01L27/1104
Abstract: 本发明公开一种SRAM单元，包括：半导体衬底；设置在半导体衬底内的第一有源区；邻近第一有源区的第二有源区，第二有源区包括基本上平行于第一有源区的驱动晶体管有源区、从驱动晶体管有源区的中心区域沿着相反于第一有源区的方向延伸的接地源极区、以及从驱动晶体管有源区的相对端沿着相反于第一有源区的方向延伸的第一和第二传输有源区；暴露出接地源极区的一部分的地线接触孔，地线接触孔被构造成由该单元和相邻单元共享；以及横穿第一和第二传输晶体管有源区的地线，地线具有延伸以覆盖地线接触孔并通过地线接触孔电连接到接地源极区的一部分，该部分还被构造成电连接到相邻单元的地线上。
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公开(公告)号：CN100465788C
公开(公告)日：2009-03-04
申请号：CN200410095448.2
申请日：2004-10-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G03F7/20 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/70991 , Y10S414/14
Abstract: 提供一种光刻装置，包括：在基板上涂覆抗蚀剂的涂胶机；存放从涂胶机提供的基板的第一缓冲器；对从第一缓冲器提供的基板进行烘焙的烘焙器；转动从烘焙器提供的基板的第一转台；使基板与涂胶机、第一缓冲器、烘焙器以及第一转台相互通信的第一传送器；对从第一转台提供的基板进行曝光的曝光机；对从曝光机提供的基板上的抗蚀剂进行显影的显影机；以及使得基板与第一转台、曝光机以及显影机相互通信的第二传送器。
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