本发明公开一种高红外元件的制备方法，包括：提供一金属材料；及在所述金属材料表面通过化学气相沉积生长得到石墨烯涂层。还公开了该方法制备的高红外元件及包含该高红外元件的装置。本发明通过在金属材料基底生长石墨烯红外辐射增强涂层的方法简单有效，便于推广至大规模生产；同时，石墨烯有效增强金属材料的红外发射能力，使辐射温度大幅增加且石墨烯涂层与基底结合紧密不易脱落。本发明的方法形成的高红外辐射元件有望在航空航天、工业窑炉、冶金制造、建筑涂层等领域得到广泛应用。