本发明公开了一种基于水平定向凝固法生长晶体的方法，本方法采用单晶炉制备，单晶炉炉内依次形成有用于向坩埚内添加原料的备料区、用于熔融原料的熔料区以及晶体生长的生长区，在单晶炉炉外设有与备料区相连通的加料装置，并通过加料装置向坩埚内添加原料，然后水平移动装有原料的坩埚，使坩埚进入熔料区并使原料熔化；然后移动坩埚回到备料区，重复备料区加料和熔料区熔料，直到原料添加到需要的量并熔化，移动坩埚至生长区，即可进行晶体生长。本发明能够有效保证产品成型厚度，保证产品成型质量及利用率。