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公开(公告)号：CN118980732A
公开(公告)日：2024-11-19
申请号：CN202411200091.3
申请日：2024-08-29
申请人： 中国电子科技集团公司第二十六研究所
摘要： 本发明公开了一种微电子器件封装气氛检测工装及其使用方法，该气氛检测工装包括顶面敞口设置的腔体，腔体的顶面设有环形的密封槽，密封槽内设有第一密封圈，同时在腔体顶面可拆卸设有盖体，盖体压设固定在腔体顶面，从而将腔体顶面封闭；腔体上设有检测口，在腔体内设有伸缩密封机构，以通过伸缩密封机构的伸缩实现检测口的启闭。本发明在能对微电子器件和封装材料进行气氛检测，不需要焊接密封，可以有效提高检测效率，且所述气氛检测工装可以重复使用，不会微电子器件封装产品造成破坏。
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公开(公告)号：CN118906536A
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202410950804.1
申请日：2024-07-16
申请人： 中国电子科技集团公司第二十六研究所
摘要： 本发明公开了一种坩埚托盘的热压整形方法，将坩埚托盘放置于整形用加热板上；对加热板加热，使坩埚托盘达到整形需要的软化程度；还包括整形块，加热板和整形块之间通过驱动机构连接；操作驱动机构使整形块下压实现对坩埚托盘的整形，整形过程中，加热板用于对坩埚托盘进行定位和支撑；整形块下压对坩埚托盘进行整形的同时利用下压力防止加热板横向滑移。反复下压整形块以对坩埚托盘需要部位进行整形并达到需要的整形效果；整形完毕，关闭加热电源，待坩埚托盘冷却后取出即可。本发明整形操作简单，整个过程只需一人操作，就可以针对坩埚托盘进行整形恢复，提高整形效率的同时也节省了人力。
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公开(公告)号：CN117832797B
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202410020428.6
申请日：2024-01-05
申请人： 中国电子科技集团公司第二十六研究所
摘要： 本发明提供了一种集成波导及其制作方法，所述集成波导包括：第一基板层，其一面上形成有第一金属层；第二基板层，其一面上形成有第二金属层；金属围栏，至少有一段金属围栏设置在第一金属层与第二金属层之间，并且连通第一金属层与第二金属层，第一金属层、金属围栏及第二金属层构成波导腔。在本发明中，结合上下两层单面设置有金属层的基板层与中间位置的金属围栏，形成集成波导结构，相比于传统的基于单层基板的内部过孔刻蚀及金属化处理形成的集成波导结构，其工艺过程较为简单，易于加工，易于集成，制作效率高。
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公开(公告)号：CN114280821B
公开(公告)日：2024-10-25
申请号：CN202210103507.4
申请日：2022-01-27
申请人： 中国电子科技集团公司第二十六研究所
IPC分类号： G02F1/11
摘要： 本发明属于光电子领域,涉及一种宽带高效率声光调制器，包括底座、晶体座、声光介质、换能器、匹配网络和高频插座；底座内固定有晶体座和匹配网络，底座一侧安装有高频插座；晶体座粘接有声光介质，声光介质一侧安装有换能器；换能器上安装第一表电极和第二表电极，两片表电极的长度一致，且距离一定间隔；本发明只需在一片换能器上镀制两片相同长度的表电极，这种工艺能够节省更多的工艺时间和工艺成本，并且能够获得的更高的衍射效率和更高的带宽；同时本发明还通过在声光介质外侧设置有U型散热腔体，通过导热胶与散热腔体紧密贴合，便于热量的快速传递，使声光介质散热均匀，消除了声光介质内的温度梯度，进而解决了衍射光方向漂移的问题。
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公开(公告)号：CN113962087B
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202111234249.5
申请日：2021-10-22
申请人： 中国电子科技集团公司第二十六研究所
IPC分类号： G06F30/20 , G06F119/08 , G06F119/14
摘要： 本发明公开了一种耦合温度场的声表面波谐振器的计算方法，包括如下步骤：步骤1)将温度场耦合到压电物理场中，得到表征不同温度场作用情况下声表面波谐振器多物理场耦合的数学模型；步骤2)通过有限元FEM技术对多物理场耦合的数学模型进行求解，获得耦合温度场量的多物理场声表面波谐振器单指结构的有限元模型；步骤3)提取声表面波谐振器单指结构有限元模型的系统矩阵，通过基于图形加速器加速的有限元分层级联技术，得到不同温度下有限长结构声表面波谐振器的矩阵方程，以实现不同温度下有限长结构声表面波谐振器频响特性曲线的快速计算。本发明能够实现不同温度情况下有限长结构声表面波谐振器的快速精确计算。
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公开(公告)号：CN118773725A
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202410809866.0
申请日：2024-06-21
申请人： 中国电子科技集团公司第二十六研究所
摘要： 本发明公开了一种RIG薄膜连续制备装置，包括炉体，炉体内设置有外延区温场以及位于外延区温场顶部且连通的预热区温场，预热区温场顶部开设有通道，外延区温场内设置有坩埚，炉体顶部设置有能够循环移动的多个籽晶生长提拉装置，预热区温场的一侧还设置有与其连通的退火区温场，退火区温场为延伸设置的直线或曲线温场，其内部有设置有多个温度逐渐递减的退火温区，退火区温场的末端顶部开设有通道，炉体对应预热区温场通道和退火区温场通道的位置分别开设有炉口，退火区温场顶部开设有延伸至预热区温场的下移动通道，炉体顶部且位于下移动通道上方的位置开设有上移动通道，多个籽晶生长提拉装置能够依次循环操作RIC晶体的生长以及退火。
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公开(公告)号：CN118650228A
公开(公告)日：2024-09-17
申请号：CN202410691490.8
申请日：2024-05-30
申请人： 中国电子科技集团公司第二十六研究所
摘要： 本发明属于芯片制备技术领域，尤其涉及一种芯片植球夹具装置及芯片植球方法，芯片植球夹具装置包括底座以及与底座插接的连接板组，连接板组包括沿背离底座方向依次连接的支撑板、植球网板和顶板，植球网板夹设于支撑板和顶板之间，连接板组与底座之间设置有容置空间，容置空间内可拆卸设置有托板；托板上设置有用于放置芯片的多个托板芯片位，支撑板上设置有多个支撑板芯片位，植球网板上设置有多个植球位，托板芯片位、支撑板芯片位和植球位一一对应，位于托板芯片位上的芯片穿过支撑板芯片位并向植球位延伸，且植球位与芯片之间具有间隙。本发明可实现BGA芯片的大规模植球，防止植球网板直接接触焊锡膏而影响植球质量，提高植球可操作性和成功率。
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公开(公告)号：CN114978095B
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202210538575.3
申请日：2022-05-18
申请人： 中国电子科技集团公司第二十六研究所
摘要： 本申请涉及一种温度补偿型薄膜体声波谐振器、其制造方法及滤波器，属于薄膜体声波滤波器设计技术领域；所述谐振器包括第一衬底和压电叠层结构，所述第一衬底的顶部设置有第一空腔；所述压电叠层结构位于所述第一衬底上，所述压电叠层结构从下至上包括种子层、底电极、粘附层、温补层、压电层、顶电极和保护层；在所述温补层的周围边缘设置有第二空腔；本发明在温补层边缘处制作有空气桥和空气隙，由于空气桥和空气隙与压电层、温补层、下电极和粘附层的声阻抗不同，且空气的声阻抗较小，所以不同的声阻抗可对横波在压电层和温补层的边缘和台阶处进行多次反射，进而减少声能量损失，提高Q值。
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公开(公告)号：CN110474140B
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN201910844273.7
申请日：2019-09-06
申请人： 中国电子科技集团公司第二十六研究所
摘要： 本发明公开了一种具有气密结构的微波信号传输装置，所述微波信号传输装置包括壳体，所述壳体包括两个用于安装电路板的腔体，所述两个腔体被隔板隔开，所述微波信号传输装置还包括用于封闭两个腔体的盖板，所述隔板上开设有安装通孔，安装通孔内固定安装有波珠，波珠包括本体及本体两端伸出的针心，波珠本体外侧面与安装通孔内侧面密封连接，波珠本体两端的针心分别与两腔体内的电路板电连接。本发明将波珠与安装通孔密封连接，能够解决因隔梁挖孔，造成上下腔体无法气密的问题，进而延长了内部芯片寿命。
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公开(公告)号：CN111960380B
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN202010878591.8
申请日：2020-08-27
申请人： 中国电子科技集团公司第二十六研究所
摘要： 本发明公开了一种基于临时悬梁结构实现微间隙装配的工艺方法，包括：沿基板厚度方向贯穿加工形成悬梁结构；沿基板厚度方向加工间隙台阶结构；将芯片单元置于预设位置，使芯片单元上的芯片单元装配平面与基板上的悬梁装配平面贴合，且芯片单元装配平面位于间隙区域内；将芯片单元与基板固定连接；去除悬梁，实现微间隙装配。与传统的垫片法/陪片法/牺牲层法制作微间隙结构相比，本发明采用临时悬梁制作微间隙结构避免了垫片或陪片法引起的间隙过大或不均匀，也避免了牺牲层法腐蚀液/腐蚀气体在微小狭长缝隙结构中流动性差、均匀性差的缺陷。提高了工艺一致性，且适用于圆片级批量装配，并在大深宽比，小间隙结构上具有更高的工艺精度。
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