发明公开
CN113948963A 激光器芯片及其制备方法
无效 - 驳回
- 专利标题: 激光器芯片及其制备方法
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申请号: CN202111160245.7申请日: 2021-09-30
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公开(公告)号: CN113948963A公开(公告)日: 2022-01-18
- 发明人: 余兵 , 汤宝 , 姜勋财
- 申请人: 武汉光迅科技股份有限公司
- 申请人地址: 湖北省武汉市洪山区邮科院路88号
- 专利权人: 武汉光迅科技股份有限公司
- 当前专利权人: 武汉光迅科技股份有限公司
- 当前专利权人地址: 湖北省武汉市洪山区邮科院路88号
- 代理机构: 北京派特恩知识产权代理有限公司
- 代理商 高天华; 张颖玲
- 主分类号: H01S5/042
- IPC分类号: H01S5/042 ; H01S5/02253 ; H01S5/183 ; H01S5/34
摘要:
本发明实施例提供了一种激光器芯片及其制备方法。其中,所述激光器芯片包括:外延层结构,位于衬底的第一表面上,包括堆叠设置的第一布拉格反射镜层、量子阱层、第二布拉格反射镜层;所述第二布拉格反射镜层具有至少一个柱状结构;第一电极,位于所述量子阱层上;所述第一电极包覆所述柱状结构,且具有孔状结构;所述柱状结构的至少部分顶表面通过所述孔状结构裸露;会聚透镜,至少覆盖所述柱状结构裸露的顶表面,用于对从柱状结构顶面发出的光进行汇聚;第二电极,位于所述衬底的第二表面;所述第二表面为与所述第一表面互为相反面。