Invention Publication
- Patent Title: 包括存储单元串的非易失性存储器件
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Application No.: CN202110811914.6Application Date: 2021-07-19
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Publication No.: CN113964131APublication Date: 2022-01-21
- Inventor: 金真弘 , 金世润 , 曹永真
- Applicant: 三星电子株式会社
- Applicant Address: 韩国京畿道
- Assignee: 三星电子株式会社
- Current Assignee: 三星电子株式会社
- Current Assignee Address: 韩国京畿道
- Agency: 北京市柳沈律师事务所
- Agent 屈玉华
- Priority: 10-2020-0089858 20200720 KR
- Main IPC: H01L27/1157
- IPC: H01L27/1157 ; H01L27/11578
Abstract:
提供一种非易失性存储器件，其包括使用电阻变化材料的存储单元串。非易失性存储器件的每个存储单元串包括：在第一方向上延伸的半导体层；在第一方向上交替地布置的多个栅极和多个绝缘体；在所述多个栅极与半导体层之间以及在所述多个绝缘体和半导体层之间在第一方向上延伸的栅极绝缘层；以及在半导体层的表面上在第一方向上延伸的电阻变化层。电阻变化层包括包含半导体层的半导体材料和过渡金属氧化物的混合物的金属半导体氧化物。
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IPC分类:
