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公开(公告)号：CN114824065A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202111560133.0
申请日：2021-12-20
申请人： 三星电子株式会社
摘要： 一种可变电阻存储器件包括：包括绝缘材料的支撑层；可变电阻层，在支撑层上并且包括可变电阻材料；盖层，在支撑层和可变电阻层之间，并且保护可变电阻层；在可变电阻层上的沟道层；在沟道层上的栅极绝缘层；以及多个栅电极和多个绝缘体，在平行于沟道层的第一方向上交替且重复地布置在栅极绝缘层上。盖层可以保持在可变电阻层中形成的氧空位。
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公开(公告)号：CN101178929B
公开(公告)日：2012-11-28
申请号：CN200710147871.6
申请日：2007-08-31
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： G11C11/16
CPC分类号： G11C11/15 , G11C19/0808 , G11C19/0841
摘要： 提供了一种利用磁畴壁移动的数据存储装置及操作该数据存储装置的方法。该数据存储装置包括：第一磁层，用于写数据，并具有在彼此相反的方向磁化的两个磁畴；第二磁层，用于存储数据，并形成于第一磁层的至少一侧。该数据存储装置可还包括：数据记录装置，连接至第一磁层的两端以及第二磁层的与第一磁层不相邻的一端；读磁头，形成为与第二磁层的与第一磁层不相邻的所述一端相距预定距离；电流检测器，连接至读磁头和数据记录装置。
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公开(公告)号：CN101026000B
公开(公告)日：2012-03-14
申请号：CN200710084953.0
申请日：2007-02-17
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： G11C11/14
CPC分类号： G11C11/16 , G11C19/0808 , G11C19/0841 , G11C2213/77
摘要： 本发明提供一种磁存储装置。所述磁存储装置包括：记录层、参考层、第一输入部分以及第二输入部分。所述记录层具有垂直磁化方向和多个磁畴，且所述参考层对应于记录层的一部分并具有被钉扎磁化方向。所述记录层具有其中形成多个数据位区的数据存储单元，每个数据位区由磁畴构成。所述磁畴与参考层的有效尺寸相对应。第一输入部分输入写入信号和读取信号中的至少一个。第二输入部分电连接到记录层并输入磁畴运动信号以将记录层的数据位区中存储的数据移动到相邻数据位区。
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公开(公告)号：CN1312318C
公开(公告)日：2007-04-25
申请号：CN03107258.5
申请日：2003-03-19
申请人： 三星电子株式会社
CPC分类号： B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/162 , C01B2202/08 , C01G55/00 , C01P2004/03 , C01P2004/04 , C01P2004/13 , C01P2004/64 , C30B25/00 , C30B29/605 , Y10S977/893
摘要： 本发明提供一种利用碳纳米管(CNT)作为模板制备无机纳米管的方法。该方法包括制备其上形成CNT或CNT阵列的模板；利用原子层沉积法(ALD)通过在模板上沉积无机材料，于CNT上形成无机薄膜；及除去CNT，得到无机纳米管或无机纳米管阵列。
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公开(公告)号：CN1292479C
公开(公告)日：2006-12-27
申请号：CN02147162.2
申请日：2002-10-24
申请人： 三星电子株式会社
CPC分类号： H01L28/56 , H01L21/3141 , H01L21/321 , H01L27/0629 , H01L28/55 , H01L28/65
摘要： 本发明公开了一种半导体器件用电容器、其制造方法及采用它的电子器件。该电容器包括上部电极和下部电极，每个电极由铂族金属形成；设置在上部电极和下部电极之间的薄介电层；以及设置在下部电极和薄介电层之间的缓冲层，该缓冲层包括第3、4或13族的金属氧化物。
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公开(公告)号：CN1252804C
公开(公告)日：2006-04-19
申请号：CN03147080.7
申请日：2003-08-06
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： H01L21/316
CPC分类号： H01L21/28185 , C01G29/006 , C01P2002/36 , C01P2002/72 , C01P2002/77 , C01P2002/85 , C01P2002/89 , C01P2004/03 , C01P2004/04 , C01P2004/80 , C01P2006/40 , C04B35/16 , C04B35/475 , C04B35/6264 , C04B2235/3232 , C04B2235/3298 , C04B2235/3418 , C04B2235/441 , C04B2235/444 , C04B2235/658 , C04B2235/6581 , C04B2235/76 , H01L21/28194 , H01L21/31691 , H01L28/55 , H01L29/516 , H01L29/517
摘要： 本发明提供一种具有烧绿石相的铋钛硅氧化物，一种由铋钛硅氧化物形成的薄膜，以及制备这种铋钛硅氧化物薄膜的方法，用于半导体设备并包含这种铋钛硅氧化物薄膜的电容器和晶体管，采用了这种电容器和/或晶体管的电子设备。铋钛硅氧化物具有良好的介电性质，并且其是热稳定以及化学稳定的。铋钛硅氧化物薄膜可以有效的应用于半导体设备中作为电容器的介电薄膜或者晶体管的门极介电薄膜。应用具有铋钛硅氧化物薄膜的电容器和/或晶体管可以制备出具有良好的电特性的各式电子设备。
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公开(公告)号：CN107025953A
公开(公告)日：2017-08-08
申请号：CN201610991612.0
申请日：2016-11-10
申请人： 三星电子株式会社
摘要： 示例性实施方式提供透明电极和包括其的电子器件，所述透明电极包括基底、形成于所述基底上并且包括由石墨烯或其衍生物形成的网状结构体的第一层、和形成于所述第一层上的第二层，其中石墨烯网状结构体包括多个孔并且所述第二层包括多个导电纳米线。
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公开(公告)号：CN102044255B
公开(公告)日：2015-02-11
申请号：CN201010246856.9
申请日：2010-08-04
申请人： 三星电子株式会社
CPC分类号： G01R33/093 , B82Y25/00 , G11C11/161 , G11C11/1673 , G11C11/1675 , G11C19/0808 , H01L43/08
摘要： 本发明提供了一种磁阻器件、包括该磁阻器件的信息存储装置及其操作方法。信息存储装置包括磁轨道和磁畴壁移动单元。磁轨道具有多个磁畴以及在每对相邻磁畴之间的磁畴壁。磁畴壁移动单元构造为移动至少磁畴壁。信息存储装置还包括磁阻器件，该磁阻器件构造为读取记录在磁轨道上的信息。磁阻器件包括钉扎层、自由层以及布置在其间的分隔层。钉扎层具有固定的磁化方向。自由层设置在钉扎层与磁轨道之间，并具有易磁化轴，该易磁化轴不平行于钉扎层的磁化方向。
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公开(公告)号：CN102044255A
公开(公告)日：2011-05-04
申请号：CN201010246856.9
申请日：2010-08-04
申请人： 三星电子株式会社
CPC分类号： G01R33/093 , B82Y25/00 , G11C11/161 , G11C11/1673 , G11C11/1675 , G11C19/0808 , H01L43/08
摘要： 本发明提供了一种磁阻器件、包括该磁阻器件的信息存储装置及其操作方法。信息存储装置包括磁轨道和磁畴壁移动单元。磁轨道具有多个磁畴以及在每对相邻磁畴之间的磁畴壁。磁畴壁移动单元构造为移动至少磁畴壁。信息存储装置还包括磁阻器件，该磁阻器件构造为读取记录在磁轨道上的信息。磁阻器件包括钉扎层、自由层以及布置在其间的分隔层。钉扎层具有固定的磁化方向。自由层设置在钉扎层与磁轨道之间，并具有易磁化轴，该易磁化轴不平行于钉扎层的磁化方向。
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