发明公开
- 专利标题: 一种应用于LDO芯片的泄漏电流消除电路及消除方法
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申请号: CN202111239466.3申请日: 2021-10-25
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公开(公告)号: CN113965060A公开(公告)日: 2022-01-21
- 发明人: 王菡 , 罗凯 , 陈波 , 杨丰 , 李鹏 , 苟超 , 梁盛铭 , 廖鹏飞 , 刘昱含
- 申请人: 中国电子科技集团公司第二十四研究所
- 申请人地址: 重庆市南岸区南坪花园路14号
- 专利权人: 中国电子科技集团公司第二十四研究所
- 当前专利权人: 中国电子科技集团公司第二十四研究所
- 当前专利权人地址: 重庆市南岸区南坪花园路14号
- 代理机构: 重庆辉腾律师事务所
- 代理商 王海军
- 主分类号: H02M1/32
- IPC分类号: H02M1/32 ; H02H9/02 ; H02M1/34
摘要:
本发明属于集成电路领域,特别涉及一种应用于LDO芯片的泄漏电流消除电路及消除方法。所述消除电路包括相互连接的泄漏电流采样电路、电流输出电路以及电流放大电路;所述泄漏电流采样电路连接LDO的输出端,并采样该LDO的功率管的泄漏电流;所述电流输出电路连接LDO内部缓冲电路的基极,并根据缓冲电路基极电位检测功率管的工作状态,在所述功率管进入截止区时,将采样的泄漏电流输出;所述电流放大电路连接LDO的输出端,并将采样的泄漏电流放大后注入到所述输出端中,抵消功率管的泄漏电流。本发明可精确采样并抵消功率管泄漏电流,避免空载时LDO输出电压偏离典型值。
公开/授权文献
- CN113965060B 一种应用于LDO芯片的泄漏电流消除电路及消除方法 公开/授权日:2023-08-25