本发明公开了一种基于脉冲激光沉积的相变薄膜的制备方法，基于脉冲激光沉积设备，包括以下步骤：在真空条件下，利用激光照射旋转靶材进行预打靶，然后在旋转硅基底上沉积Ge2Sb2Se4Te1薄膜。本发明是通过脉冲激光沉积制备的新型相变材料Ge2Sb2Se4Te1，保证了合金薄膜中各个元素较为理想的组分比，并通过特定温度特定时间的退火实现了Ge2Sb2Se4Te1在逐渐相变过程中的折射率变化情况，在1550nm处实现了优度值FOM＝5.2，优度值为相变前后折射率的变化与消光系数的变化之比，反映了相变材料的相变性能。对于本发明提供的基于脉冲激光沉积制备的新型相变材料Ge2Sb2Se4Te1，研究了其相变前后的形貌变化以及晶态情况下的晶格结构，并且分析了相变前后元素化学态度的变化情况，揭示了Ge2Sb2Se4Te1的相变机理。