一种基于场-路协同伴随模型的射频系统的分析方法

    公开(公告)号:CN118869115A

    公开(公告)日:2024-10-29

    申请号:CN202410079556.8

    申请日:2024-01-19

    发明人: 游犇

    IPC分类号: H04B17/391 H04B17/309

    摘要: 本发明提供了一种基于场‑路协同伴随模型的射频系统的分析方法,属于微波通信技术领域。本方法通过对发射机模块进行电磁建模和全波仿真,并建立行为/紧缩模型描述驱放和功放等有源器件,将无源器件散射参数与有源器件非线性模型导入原理图仿真引擎,并建立电路拓扑,通过大信号非线性电路分析,获取由天线阵列各端口处的入射电压向量,并综合电磁仿真引擎的结果得到发射机系统增益方向图与系统增益压缩特性;此外,采用相似的方式对接收机模块进行处理,并结合流图进行解析,实现对多频率、多移相组态及多空间方位角下的接收机系统增益方向图的快速计算。本方法特别适用于复杂射频系统的电磁分析,高效且准确。

    一种Wi-Fi 6E全金属笔记本天线
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN118017192A

    公开(公告)日:2024-05-10

    申请号:CN202410067825.9

    申请日:2024-01-17

    发明人: 吴嘉豪

    摘要: 本发明提供了一种Wi‑Fi 6E全金属笔记本天线,属于天线技术领域。本发明的Wi‑Fi 6E全金属笔记本天线包含:介质基板、改进倒F单极子、接地寄生结构、U型结构;单极子包含主振臂、寄生臂和短路臂,与接地寄生结构刻蚀在介质基板的正面,U型结构刻蚀在介质基板的背面,共同构成天线结构。天线结构位于笔记本金属背板的右上顶部区域,并以金属背板作为地板部分。本发明天线可工作在WI‑FI 6E频段,且具有多频带特性,同时剖面低、结构简单、低成本、易于加工。

    具有降低负载效应的瞬态电压抑制器二极管微波防护电路

    公开(公告)号:CN117713022A

    公开(公告)日:2024-03-15

    申请号:CN202311681315.2

    申请日:2023-12-08

    IPC分类号: H02H9/04

    摘要: 本发明提供了一种具有降低负载效应的瞬态电压抑制器二极管微波防护电路,由微带结构和瞬态电压抑制器二极管共同组成。本发明将两种不同型号的瞬态电压抑制器二极管的组合接入微带电路的不同位置,同时利用瞬态电压抑制器二极管遇到强电磁脉冲冲击时电阻迅速下降的特性,一方面多个二极管的组合可以显著提高被保护器件的损坏阈值,另一方面减缓了多个瞬态稳压抑制器二极管接入电路导致电路插入损耗急剧恶化的效应;本发明利用瞬态电压抑制器二极管的电路模型,通过仿真获得防护电路的S参数特性和高功率脉冲注入下的电路尖峰保护效果,同时也分析了前端和后端电路的吸收电流与电路输出电流的比值。

    一种调制器射频互连错位封装结构

    公开(公告)号:CN117192816A

    公开(公告)日:2023-12-08

    申请号:CN202311087028.9

    申请日:2023-08-28

    IPC分类号: G02F1/035 G02F1/03

    摘要: 一种调制器射频互连错位封装结构,用于解决传统电光调制器电极与射频信号过渡芯片在互连后带宽损失高的问题。这种互连设计自上而下的结构为射频板微带线、射频板基底层与金属通孔、射频板焊盘、石英垫块、焊球、电光调制器:上述的射频板微带线为GSG结构的共面波导;所述射频板基底为氧化铝材料,基底内部通过金属通孔将基底上表面电极与下表面焊盘连接;所述石英垫块支撑射频板于合适高度;所述焊球连接射频板焊盘与电光调制器电极;所述电光调制器的电极结构为GSG结构的共面波导,缓冲层与铌酸锂层内包裹有电子束光刻铌酸锂波导;通过上述技术方案,以实现高带宽的调制器射频互连的技术效果。

    一种基于脉冲激光沉积的相变薄膜的制备方法

    公开(公告)号:CN113969395B

    公开(公告)日:2023-09-08

    申请号:CN202111076225.1

    申请日:2021-09-14

    IPC分类号: C23C14/28 C23C14/06

    摘要: 本发明公开了一种基于脉冲激光沉积的相变薄膜的制备方法,基于脉冲激光沉积设备,包括以下步骤:在真空条件下,利用激光照射旋转靶材进行预打靶,然后在旋转硅基底上沉积Ge2Sb2Se4Te1薄膜。本发明是通过脉冲激光沉积制备的新型相变材料Ge2Sb2Se4Te1,保证了合金薄膜中各个元素较为理想的组分比,并通过特定温度特定时间的退火实现了Ge2Sb2Se4Te1在逐渐相变过程中的折射率变化情况,在1550nm处实现了优度值FOM=5.2,优度值为相变前后折射率的变化与消光系数的变化之比,反映了相变材料的相变性能。对于本发明提供的基于脉冲激光沉积制备的新型相变材料Ge2Sb2Se4Te1,研究了其相变前后的形貌变化以及晶态情况下的晶格结构,并且分析了相变前后元素化学态度的变化情况,揭示了Ge2Sb2Se4Te1的相变机理。

    一种微纳波导及偏振和能量-时间量子超纠缠态制备方法

    公开(公告)号:CN115933275A

    公开(公告)日:2023-04-07

    申请号:CN202211576635.7

    申请日:2022-12-09

    发明人: 陈洋河 何广强

    IPC分类号: G02F1/365

    摘要: 本发明提供一种微纳波导及偏振和能量‑时间量子超纠缠态制备方法,包括一个由铌酸锂晶体膜制备成的非线性直波导,基于所述铌酸锂晶体膜的二阶非线性系数χ(2),在所述直波导结构内发生自发参量下转换SPDC过程,一个泵浦光光子产生一个信号光光子和一个闲置光光子;产生的所述信号光光子和闲置光光子为超纠缠态双光子对,即在能量‑时间维度存在纠缠关系,同时在偏振维度也存在纠缠关系。本发明通过优化设计截面结构可以调整波导的色散关系,控制双光子在偏振维度的纠缠程度,优化自发参量下转化(SPDC)过程的产生效率,实现宽带的信号光与闲置光光谱。

    基于片上超透镜结构的波长解复用器件

    公开(公告)号:CN113885137A

    公开(公告)日:2022-01-04

    申请号:CN202111092595.4

    申请日:2021-09-17

    IPC分类号: G02B6/293

    摘要: 一种基于片上超透镜结构的波长解复用器件,包括输入波导、准直超透镜、色散聚焦超透镜、输出波导阵列。从输入波导进来的光经过准直超透镜变成平行光,再经过色散聚焦超透镜偏转并聚焦耦合到输出波导阵列。不同波长的光经过色散聚焦超透镜后具有不同的偏转角度,因此能进入到不同位置的输出波导,由此实现波长解复用。本发明采用超透镜结构灵活操控光波相位平面,可以实现超紧凑波长解复用器,且易于硅基集成。

    一种单进多出光波导开关
    10.
    发明公开

    公开(公告)号:CN112965315A

    公开(公告)日:2021-06-15

    申请号:CN202011575862.9

    申请日:2020-12-28

    IPC分类号: G02F1/313

    摘要: 本发明公开了一种单进多出光波导开关,包括衬底、1×2的第一级光开关单元、两个并行的1×2的第一个第二级光开关单元、第二个第二级光开关单元和四路输出光学波导,所述四路输出光学波导分别为第三输出波导、第四输出波导、第五输出波导和第六输出波导,所述第一级光开关单元由第一单模光学波导和第五输出波导以及设置在第一级光开关单元的开断位置的第六复合波导构成;所述的第一个第二级光开关单元由第三输出波导、第四输出波导以及设置在第一个第二级光开关单元的开断位置的第三复合波导构成。通过上述方式,本发明具有高消光比、低插入损耗、尺寸小、信号切换速率快等特点。