本发明公开了一种制备抗硫化厚膜晶片电阻的方法，涉及厚膜晶片电阻领域，方法具体为：预先在绝缘板上涂覆一层三防漆，制得基板，将抗硫化导电浆料和电阻浆料通过掩膜涂覆在基板上，再经烧结在基板上形成电极层和电阻层，继续在电极层和电阻层之间涂覆保护涂料，干燥形成包覆层，制得晶片电阻；所述保护涂料包括以质量份数计的原料：灌封硅胶40‑89份、改性导热填料5‑20份和阻燃剂1‑20份；所述改性导热填料为小粒径导热填料与大粒径导热填料组成。本发明通过预先在绝缘板上涂覆一层三防漆，能够防止在高温高湿、电场力的作用下的银迁移，避免线路之间短路。