发明公开
- 专利标题： 一种硅控整流器、芯片及电路
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申请号： CN202111619505.2申请日： 2021-12-28
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公开(公告)号： CN113990865A公开(公告)日： 2022-01-28
- 发明人: 赵东艳 , 陈燕宁 , 王于波 , 邵瑾 , 付振 , 刘芳 , 庞振江 , 董广智 , 赵法强 , 李嘉睿 , 王树龙
- 申请人： 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 西安电子科技大学
- 申请人地址： 北京市昌平区双营西路79号院中科云谷园11号楼一层; ; ;
- 专利权人： 北京芯可鉴科技有限公司,北京智芯微电子科技有限公司,国网信息通信产业集团有限公司,西安电子科技大学
- 当前专利权人： 北京芯可鉴科技有限公司,北京智芯微电子科技有限公司,国网信息通信产业集团有限公司,西安电子科技大学
- 当前专利权人地址： 北京市昌平区双营西路79号院中科云谷园11号楼一层; ; ;
- 代理机构： 北京润平知识产权代理有限公司
- 代理商 赵敏岑
- 主分类号： H01L27/02
- IPC分类号： H01L27/02
摘要：
本发明实施例提供一种硅控整流器、芯片及电路，该硅控整流器包括：衬底，所述衬底上方设有深阱层，所述深阱层上方设有N阱区和P阱区；所述N阱区和P阱区上方依次设有第一N+区、第一P+区、第二N+区及第二P+区；所述第一N+区和第二P+区相连，所述第一P+区与所述硅控整流器的阳极相连，所述第二N+区与所述硅控整流器的阴极相连；所述第二P+区最外侧设有场氧结构，所述场氧结构位于所述深阱层的上方。该硅控整流器缩短了通路的距离，提高了防护等级。
IPC分类:
