发明公开
- 专利标题： 用于使基板背侧损伤最小化的方法和设备
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申请号： CN202080041770.4申请日： 2020-04-22
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公开(公告)号： CN113994463A公开(公告)日： 2022-01-28
- 发明人: 胡良发 , A·A·哈贾 , S·M·博贝克 , P·K·库尔施拉希萨 , Y·铃木
- 申请人： 应用材料公司
- 申请人地址： 美国加利福尼亚州
- 专利权人： 应用材料公司
- 当前专利权人： 应用材料公司
- 当前专利权人地址： 美国加利福尼亚州
- 代理机构： 上海专利商标事务所有限公司
- 代理商 侯颖媖; 张鑫
- 优先权： 62/848,935 20190516 US
- 国际申请： PCT/US2020/029203 2020.04.22
- 国际公布： WO2020/231609 EN 2020.11.19
- 进入国家日期： 2021-12-06
- 主分类号： H01L21/683
- IPC分类号： H01L21/683 ; H01L21/67 ; H01L21/687 ; H02N13/00 ; B23Q3/15 ; C23C16/458
摘要：
本公开的实施例总体涉及用于在半导体装置处理期间减少基板背侧损伤的设备和方法。在一个实施方案中，一种在基板处理腔室中吸附基板的方法包括以下步骤：在将吸附电压施加到基板支撑件之前将基板暴露于等离子体预热处置。在一个实施方案中，提供了一种基板支撑件，并且所述基板支撑件包括主体，所述主体具有设置在其中的电极和热控制装置。多个基板支撑特征形成在主体的上表面上，基板支撑特征中的每一个基板支撑特征具有基板支撑表面和圆形边缘。
IPC分类:
