本发明提供了一种铜铟镓硒薄膜的制备方法，包括步骤：S10、将基底加热至第一温度，在基底上共蒸铟、镓和硒；S20、提高基底的温度至第二温度，在基底上共蒸铜和硒；S30、保持基底的温度为第二温度，在基底上共蒸铟、镓和硒，获得铜铟镓硒薄膜；其中，步骤S10中硒的蒸气压为步骤S30中硒的蒸气压的4～8倍，步骤S20中硒的蒸气压为步骤S10中硒的蒸气压的2～8倍；步骤S10中铟和镓的蒸气压为步骤S30中铟和镓的蒸气压的4～8倍。本发明在三步共蒸发法制备铜铟镓硒薄膜的过程中，通过调控各个共蒸步骤的硒的蒸气压，可以使得共蒸设备的反应腔室的薄膜生长环境更加稳定从而有利于高质量薄膜的生长，并且还可以避免硒源的浪费从而能够更加准确地控制固态硒源的耗尽时间。