本发明公开了一种优化横向氧化镓功率器件表面电场的结构及制备方法，该结构包括：包括衬底、n型氧化镓沟道层、源极、漏极、p型氧化物半导体层和栅叠层，所述衬底与n型氧化镓沟道层连接，所述源极、漏极、p型氧化物半导体层和栅叠层设于氧化镓沟道层上且远离衬底的一侧，所述p型氧化物半导体层设于源极和漏极之间且靠近漏极一侧。该方法包括用于制备上述一种优化横向氧化镓功率器件表面电场的结构的步骤。通过使用本发明，能够在提高器件耐压特性的同时不影响器件的正向比导通电阻。本发明可广泛应用于半导体器件领域。