- 专利标题: 一种双层AIN压电薄膜水听器芯片单元、芯片以及水听器
-
申请号: CN202111140667.8申请日: 2021-09-28
-
公开(公告)号: CN114034377B公开(公告)日: 2024-03-22
- 发明人: 杨华 , 王晓波 , 张浩
- 申请人: 青岛国数信息科技有限公司 , 青岛国数微电子有限公司
- 申请人地址: 山东省青岛市崂山区科苑纬四路102号1号楼;
- 专利权人: 青岛国数信息科技有限公司,青岛国数微电子有限公司
- 当前专利权人: 青岛国数信息科技有限公司,青岛国数微电子有限公司
- 当前专利权人地址: 山东省青岛市崂山区科苑纬四路102号1号楼;
- 代理机构: 青岛锦佳专利代理事务所
- 代理商 朱玉建
- 主分类号: G01H11/08
- IPC分类号: G01H11/08 ; H10N30/87 ; H10N30/30
摘要:
本发明公开了一种双层AIN压电薄膜水听器芯片单元,其包括由下向上依次设置的SOI基片、第一AIN压电层、第一电极层、隔离层、第二AIN压电层以及第二电极层;第一电极层与第一AIN压电层的外缘轮廓的形状和大小均相同;第一电极层包括第一正电极和第一负电极;第一正电极设置于第一电极层的中心区域且呈圆形;第一负电极设置于第一电极层的外侧边缘区域且呈环形;第二电极层与第二AIN压电层的外缘轮廓的形状和大小均相同;第二电极层包括第二正电极和第二负电极;第二正电极设置于第二电极层的中心区域且呈圆形;第二负电极设置于第二电极层的外侧边缘区域且呈环形。本发明利于提高压电效率以及压电电荷的采集效率,从而提高水听器芯片的灵敏度。
公开/授权文献
- CN114034377A 一种双层AIN压电薄膜水听器芯片单元、芯片以及水听器 公开/授权日:2022-02-11