公开(公告)号：CN118613132A

公开(公告)日：2024-09-06

申请号：CN202410759903.1

申请日：2024-06-13

申请人： 中国计量大学

发明人： 吴彬彬 ,  祁一洲 ,  叶柳顺 ,  陈颖

IPC分类号： H10N30/06 ,  H10N30/87

摘要： 本发明专利涉及一种PVDF压电薄膜表面电极及其电路的制备方法，包括磁控溅射‑光刻显影‑电镀‑刻蚀等步骤，其制备方法简单容错率高，制备的电极及其导线可以实现微型化(电极小于1mm，导线线宽可小于50um)，采用该方法可以在商业PVDF压电薄膜两个延展表面制备微型电极及其导线从而使其构成微型压电传感器件。

公开(公告)号：CN118591254A

公开(公告)日：2024-09-03

申请号：CN202410221409.X

申请日：2024-02-28

申请人： TDK株式会社

发明人： 成田薰 ,  佐藤晃 ,  木嶋薰

IPC分类号： H10N30/87

摘要： 本公开涉及一种压电构造体。压电构造体具备：压电元件，具有外部电极；配线构件，具有导体层；以及导电树脂层，包含多个导电颗粒，并将导体层和外部电极电连接。导体层具有：第一导体部，由导电树脂层与外部电极接合；以及第二导体部，从第一导体部延伸。从导体层的厚度方向观察，第一导体部设置为较第二导体部稀疏。

公开(公告)号：CN118545674A

公开(公告)日：2024-08-27

申请号：CN202410815631.2

申请日：2024-06-21

申请人： 武汉敏声新技术有限公司

发明人： 孙成亮 ,  杨超翔 ,  刘炎 ,  蔡耀 ,  国世上 ,  孙博文

IPC分类号： B81B7/02 ,  H10N30/30 ,  H10N30/87

摘要： 本发明公开了一种基于铙钹结构的MEMS传感器，包括基底、平板和位于基底和平板之间的多个铙钹结构，多个铙钹结构平面铺设，铙钹结构包括沿垂直基底一侧表面的方向依次设置的下端盖层、下电极层、压电层、上电极层和上端盖层；下端盖层与基底之间形成第一空隙，下端盖层朝向背离下电极层的方向突出形成第一凸起，第一凸起与下电极层之间形成第二空隙；上端盖层朝向背离上电极层的方向突出形成第二凸起，第二凸起与上电极层之间形成第三空隙。利用上述结构，将压电层横向位移与上端盖层和下端盖层纵向位移相互转化，在铙钹结构上设置平板，可大幅增大发射及接收声压的有效面积，提高MEMS传感器的输出电压，大幅提升MEMS传感器的性能。

公开(公告)号：CN112885955B

公开(公告)日：2024-08-23

申请号：CN202110031170.6

申请日：2021-01-11

申请人： 中国科学院声学研究所 ,  中国农业大学 ,  常州大学

发明人： 张晗 ,  郑剑锋 ,  周赟 ,  王峰 ,  李广增

IPC分类号： H10N30/87 ,  H10N30/00 ,  H10N30/30 ,  B81B7/02 ,  H04R19/00 ,  H04R19/04

摘要： 本申请公开了一种压电传感器及麦克风，所述压电传感器包括压电薄膜、设置于所述压电薄膜上表面的同心圆环电极组以及所述压电薄膜下表面的全表面电极，所述同心圆环电极组中各圆环电极之间串联。由于同心圆环电极能够有效地增大压电材料产生的输出电压，因此本申请实施例提高了压电传感器在低压下的灵敏度，进而显著提升了性能。

公开(公告)号：CN118524769A

公开(公告)日：2024-08-20

申请号：CN202410608089.3

申请日：2024-05-16

申请人： 电子科技大学中山学院

发明人： 刘萍 ,  郝健 ,  彭磊 ,  高庆国

IPC分类号： H10N30/30 ,  H10N30/87 ,  H10N30/06 ,  G01L1/16

摘要： 本发明提供了一种基于氮化铝薄膜的压电式压力传感器及其制备方法和集成化方法，属于压力传感器技术领域。本发明提供的基于氮化铝薄膜的压电式压力传感器，从下至上依次包括重掺杂的硅衬底、二氧化硅绝缘层、氮化铝薄膜和金属薄膜电极；所述金属薄膜电极的数目为两个，所述两个金属薄膜电极为非对称结构。实施例的结果显示，本发明提供的压电式压力传感器中氮化铝薄膜的方均根粗糙度为0.525nm，压电式压力传感器的压电电流为nA量级，压电电压为100mV量级，电压灵敏度接近100mV/kPa。

公开(公告)号：CN118510370A

公开(公告)日：2024-08-16

申请号：CN202410579064.5

申请日：2024-05-11

申请人： 上海声一电子科技有限公司

发明人： 黄海涛 ,  兰小刚

IPC分类号： H10N39/00 ,  B06B1/06 ,  H10N30/063 ,  H10N30/87 ,  H10N30/00

摘要： 一种超声换能器用压电阵元及其制作方法，包括步骤：在压电层的两面镀上电极，于发射面一侧形成信号极，背离发射面的另一侧形成接地极，将接地极由压电阵元的背衬层引出；提供导电匹配层，将所述信号极引出至所述压电阵元的工作区域以外的位置；在所述压电层上设置非压电材料区域，所述信号极自非压电材料区域通过所述导电匹配层引出；所述压电阵元的工作频率大于等于20MHz，工作区域的面积小于等于1.0平方毫米；本发明在压电层设置非压电材料区域，并通过导电匹配层将电极引出至压电阵元的非工作区域以外的位置，从而在保证压电阵元有效尺寸不变的前提下，消除点涂导电银浆带来的声性能影响。

公开(公告)号：CN118475214A

公开(公告)日：2024-08-09

申请号：CN202410082180.6

申请日：2024-01-19

申请人： 日本发条株式会社

发明人： 新井干男 ,  米仓亮介

IPC分类号： H10N30/87 ,  H01L21/66

摘要： 根据一实施例的压电元件包括压电体、第1电极和第2电极，压电体具有第1主表面和与第1主表面反对侧的第2主表面，第1电极设置于第1主表面上，第2电极设置于第2主表面上。第1电极具有第1周边边缘和从第1周边边缘延伸出的第1缝隙，第1缝隙的端部与第1周边边缘相隔一定距离。

公开(公告)号：CN118450786A

公开(公告)日：2024-08-06

申请号：CN202311230681.6

申请日：2023-09-21

申请人： 荣耀终端有限公司

发明人： 王琳琛 ,  张磊

IPC分类号： H10N30/87 ,  H10N30/20

摘要： 本申请公开了一种压电模组以及电子设备，属于压电技术领域。该压电模组用于驱动被驱动面运动，该压电模组包括压电层、中间层以及驱动走线。其中，中间层位于压电层和被驱动面之间，中间层用于将压电层固定于被驱动面。驱动走线与压电层电连接，驱动走线用于接收输入信号并驱动压电层运动。该压电模组中，驱动走线位于中间层的容纳空间，可以实现压电模组的减薄。

公开(公告)号：CN118074660B

公开(公告)日：2024-06-25

申请号：CN202410466750.1

申请日：2024-04-18

申请人： 深圳新声半导体有限公司

发明人： 高子龙 ,  邹洁

IPC分类号： H03H9/10 ,  H03H9/25 ,  H03H9/64 ,  H10N30/87 ,  H10N30/88

摘要： 本申请涉及半导体技术领域，公开一种晶圆级封装结构，包括：衬底，表面设置有第一叉指换能器；支撑结构，设置在所述衬底设置有第一叉指换能器的一面；盖板晶圆，耦合到所述支撑结构使得所述盖板晶圆和所述第一叉指换能器之间存在空隙；所述支撑结构位于所述衬底和盖板晶圆之间；所述盖板晶圆为压电材料制成。该晶圆级封装结构能够有效减小封装面积尺寸，适用于封装面积尺寸更小的多工器/多合一滤波器。

公开(公告)号：CN112993144B

公开(公告)日：2024-05-17

申请号：CN202110163651.2

申请日：2016-03-18

申请人： 三星显示有限公司 ,  首尔大学校产学协力团

发明人： 洪钟昊 ,  朴源祥 ,  林载翊 ,  秋惠容 ,  金大亨 ,  金在旻 ,  都敬植 ,  朴玟俊

IPC分类号： H10N30/30 ,  H10N30/87 ,  H10N30/85

摘要： 公开一种压电器件、使用其的压电传感器和具有其的可穿戴装置。在一方面，压电器件包括由压电材料形成的压电层和形成在压电层上方并具有碳纳米结构的第一层。