发明授权
- 专利标题: 一种具有孤岛结构的陶瓷基板的制备方法
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申请号: CN202111496479.9申请日: 2021-12-09
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公开(公告)号: CN114043606B公开(公告)日: 2023-08-15
- 发明人: 庞锦标 , 舒国劲 , 韩玉成 , 袁世逢 , 谭天波 , 窦占明 , 周存龙 , 李淼
- 申请人: 中国振华集团云科电子有限公司
- 申请人地址: 贵州省贵阳市乌当区新添大道北段268号附1号
- 专利权人: 中国振华集团云科电子有限公司
- 当前专利权人: 中国振华集团云科电子有限公司
- 当前专利权人地址: 贵州省贵阳市乌当区新添大道北段268号附1号
- 代理机构: 贵阳中工知识产权代理事务所
- 代理商 杨成刚
- 主分类号: B28B3/00
- IPC分类号: B28B3/00 ; B28B11/14 ; B28B11/24 ; B28B17/00
摘要:
一种具有孤岛结构的陶瓷基板的制备方法,属于共烧陶瓷技术领域。通过在生瓷片上打腔、叠层、小压力预压,制备带盲腔的生瓷基板;孤岛生坯制备、孤岛生坯嵌入生瓷基板的盲腔、大压力等静压、热切、排胶烧结,从而制备得到了一种具有高位置精度的陶瓷孤岛结构,可以应用于具有孤岛结构的陶瓷结构件、陶瓷模具等产品,实现0.5mm~100mm大小陶瓷孤岛的制备,孤岛形状多样化,包含正方形、长方形、圆形及异形结构,可以解决目前通过压制、注浆等方式难以制备小尺寸、高位置精度陶瓷孤岛的问题,同时可以节省模具成本,制备的带孤岛结构的陶瓷基板具有形状多样化、深径比可调、加工周期短等特点。广泛应用于具有孤岛结构的多层陶瓷基板领域。
公开/授权文献
- CN114043606A 一种具有孤岛结构的陶瓷基板的制备方法 公开/授权日:2022-02-15