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公开(公告)号：CN107910306B
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN201711360124.0
申请日：2017-12-15
申请人： 中国振华集团云科电子有限公司
IPC分类号： H01L23/367 , H01L23/473
摘要： 本发明提供一种水冷式散热器及散热系统，属于散热器技术领域。水冷式散热器包括散热板，散热板的相对侧端上分别开设有进水口和出水口，散热板上开设有流体通道，流体通道从进水口处延伸至出水口处，流体通道内设置有多个间隔分布的隔挡件，隔挡件的轴向与散热板的轴向呈角度设置。该散热系统具有上述的水冷式散热器，结构简单、使用便捷且散热效果好。
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公开(公告)号：CN107824408B
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN201711360183.8
申请日：2017-12-15
申请人： 中国振华集团云科电子有限公司
摘要： 本发明提供一种端涂夹具及端涂机，属于电子设备加工技术领域。其包括夹具本体、限位组件以及卡扣组件，夹具本体具有相对的第一侧壁和第二侧壁，第二侧壁上开设有多个定位口；限位组件沿第一侧壁延伸至第二侧壁的方向可滑动地安装在夹具本体中，限位组件的一端与定位口连通，定位口沿与限位组件长度方向垂直的方向延伸；卡扣组件安装在第一侧端上，卡扣组件与限位组件连接，限位组件通过卡扣组件滑进或者滑出定位口。该端涂机具有上述的端涂夹具，省时省力，加工效率高且自动化程度高。
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公开(公告)号：CN114043606B
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN202111496479.9
申请日：2021-12-09
申请人： 中国振华集团云科电子有限公司
摘要： 一种具有孤岛结构的陶瓷基板的制备方法，属于共烧陶瓷技术领域。通过在生瓷片上打腔、叠层、小压力预压，制备带盲腔的生瓷基板；孤岛生坯制备、孤岛生坯嵌入生瓷基板的盲腔、大压力等静压、热切、排胶烧结，从而制备得到了一种具有高位置精度的陶瓷孤岛结构，可以应用于具有孤岛结构的陶瓷结构件、陶瓷模具等产品，实现0.5mm～100mm大小陶瓷孤岛的制备，孤岛形状多样化，包含正方形、长方形、圆形及异形结构，可以解决目前通过压制、注浆等方式难以制备小尺寸、高位置精度陶瓷孤岛的问题，同时可以节省模具成本，制备的带孤岛结构的陶瓷基板具有形状多样化、深径比可调、加工周期短等特点。广泛应用于具有孤岛结构的多层陶瓷基板领域。
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公开(公告)号：CN113096961B
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN202110388797.7
申请日：2021-04-12
申请人： 中国振华集团云科电子有限公司
摘要： 一种多层瓷介电容器及其端面金属化方法，包括多层陶瓷介质、每层陶瓷介质上内部电极、P型电极引出端；P型电极引出端上电极及下电极分别位于多层瓷介电容器厚度方向的两侧面；采用蘸浆端涂工艺进行引出端电极制备，解决了依赖于高精度设备和工装夹具的问题；采用薄膜溅射工艺进行引出端电极制备，提高了端电极的致密性，解决了端涂工艺制备样品推球试验不合格问题。采用P型电极引出端设计有效地减小了电流路径，提高谐振频率。采用金作为端电极材料，解决了Ag/Pd电极在高温高湿环境下的银迁移、Ni/Cu电极在高温环境下氧化的问题。该金属化方法广泛应用于传统MLCC以及具有P型电极引出端结构的电阻、电感等片式元件端电极的制备。
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公开(公告)号：CN113087525B
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN202110344154.2
申请日：2021-03-31
申请人： 中国振华集团云科电子有限公司
IPC分类号： C04B35/495 , C04B35/622
摘要： 一种钼酸盐基复合微波介质陶瓷及其制备方法，包括负谐振频率温度系数的低温烧结型Li2/3Mg2/3MoO4微波介质陶瓷材料、正谐振频率温度系数的低温烧结型(A1/2Bi1/2)MoO4微波介质陶瓷材料；以负谐振频率温度系数的微波介质陶瓷材料为主料，以正谐振频率温度系数的微波介质陶瓷材料为调料，通过两相复合方法，获得接近零谐振频率温度系数的低温烧结型复合微波介质陶瓷材料{(Li2(1‑x)/3Bix/2)(Ax/2Mg2(1‑x)/3)}MoO4(A为Na+或K+)。解决了现有微波介质陶瓷烧结温度高、谐振频率温度系数随温度变化较大的问题。在LTCC低温烧结微波介质陶瓷材料中具有广泛的应用。
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公开(公告)号：CN115466995A
公开(公告)日：2022-12-13
申请号：CN202211183104.1
申请日：2022-09-27
申请人： 中国振华集团云科电子有限公司
摘要： 一种提高陶瓷基片表面镀金厚度均匀性的方法，属于电镀技术领域。本发明从以下三个方面改进镀金层膜厚的均匀性：(1)在主镀金槽中增加超声功能，在电镀金过程中开启超声波振动；(2)电镀电源采用单脉冲电源，通过降低占空比，增加电流的关段时间，调节基片周围金离子浓度的恢复时间，提升镀金层膜厚均匀性；(3)主镀金溶液的金离子含量控制在(7～9)g/L内。解决了现有陶瓷基片镀金层厚度均匀性差，基片与边缘厚度差异大，后续刻蚀难以控制，制备成产品后微组装一致性差的问题，从而提高陶瓷基片镀金的厚度均匀性以及节约成本。广泛应用于陶瓷基片的表面镀金，用于提升镀金层的均匀性，达到节约成本以及提升后续微组装一致性的目的。
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公开(公告)号：CN114675083A
公开(公告)日：2022-06-28
申请号：CN202210296979.6
申请日：2022-03-24
申请人： 中国振华集团云科电子有限公司
摘要： 一种微型平面芯片电感测试定位模块及其制作方法，属于电子元器件测试领域。测试定位模块包括基片、表面电极打底层、定位腔、端面电极打底层及电镀层。表面电极打底层位于基片的表面，定位腔位于陶瓷基片1的中部区域，定位腔的形状与平面芯片电感基本一致，平面尺寸略大于平面芯片电感，深度小于陶瓷基片的厚度，大于平面芯片电感的厚度；端面电极打底层位于基片对称的两端面，电镀层为金电镀层，覆盖表面电极打底层和端面电极打底层，构成表面及端面电极。制作方法为薄膜光刻、厚膜印烧、真空溅射或金属电镀法。解决了现有技术不能用于测试平面结构芯片电感的问题。广泛应用于小尺寸平面芯片电感测试，或其他平面型两端口电子器件电性能测试。
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公开(公告)号：CN114096083A
公开(公告)日：2022-02-25
申请号：CN202111494389.6
申请日：2021-12-09
申请人： 中国振华集团云科电子有限公司
摘要： 一种基于LTCC、HTCC技术的多层孤岛陶瓷电路的制备方法，属于电子元器件领域。通过生瓷片打孔、填孔、印刷、打盲腔、叠层、小压力预压、孤岛多层陶瓷电路预压坯体制备、孤岛电路生坯嵌入盲腔、大压力等静压、热切、排胶烧结，制备得到一种具有高精度对位的陶瓷孤岛结构，实现1mm～50mm尺寸的多层孤岛陶瓷电路的制备，孤岛形状多样化，包含正方形、长方形、圆形及异形结构，陶瓷孤岛与主体LTCC/HTCC电路基板电气互联，具有互联位置精度高、尺寸范围可调等特点，解决了现有多层陶瓷基板LTCC/HTCC工艺平台中无法对具有孤岛凸台的多层生瓷片进行对位堆叠的问题。广泛应用于具有孤岛结构的多层陶瓷电路技术领域。
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公开(公告)号：CN114093723A
公开(公告)日：2022-02-25
申请号：CN202111486813.2
申请日：2021-12-08
申请人： 中国振华集团云科电子有限公司
IPC分类号： H01H69/02 , H01H85/041 , H01H85/08 , H01H85/00
摘要： 一种全固态熔断器的制备方法，属于电子元器件领域。所述制备方法为：将熔丝的两端分别焊接在熔断器基片单元两端的电极层上，形成基片单元产品；将基片单元产品装入陶瓷管内，灌封抑弧材料，将抑弧材料进行固化；将固化好的产品两端与盖帽焊接；将焊接好的产品进行引脚电极电镀。优化了现有丝状熔断器熔丝悬空设计，提高丝状熔断器的抗振动冲击能力。解决了现有技术中FF型膜状熔断器与TT型丝状熔断器工艺不兼容、难以实现额定电压大于250V的FF型熔断器问题。适用于将丝状熔断器实现不同额定电压的FF型膜状熔断器和TT型丝状熔断器技术领域。
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公开(公告)号：CN113816736A
公开(公告)日：2021-12-21
申请号：CN202111330535.1
申请日：2021-11-11
申请人： 中国振华集团云科电子有限公司
IPC分类号： C04B35/495 , C04B35/622 , C04B35/64
摘要： 一种超低温烧结的低介低损耗LTCC陶瓷材料及其制备方法，属于电子元器件领域。所述LTCC陶瓷材料的原料组分包括Na2CO3、WO3和MoO3，按照分子式Na2+y(W1‑xMox)O4配制称量。首先按照化学式的化学计量比配制称量所需原料，将各原料进行一次球磨混合均匀，通过保温煅烧过程使各原料进行初步的反应得到所需陶瓷相，再通过二次球磨细化反应物的颗粒尺寸，然后将二次球磨后的陶瓷粉进行造粒，再压制成设定形状的生坯，最后经过排胶烧结过程得到所述LTCC陶瓷材料。解决了现有技术中烧结助剂引起材料性能恶化、纳米级原始粉体成本高且不适合批量化生产的问题。广泛应用于低温烧结低介低损耗LTCC陶瓷材料领域。
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