- 专利标题: 一种晶体生长电源参数的自适应调控方法及系统
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申请号: CN202210014118.4申请日: 2022-01-07
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公开(公告)号: CN114046669B公开(公告)日: 2022-04-22
- 发明人: 刘扬 , 卢卫国 , 许勇
- 申请人: 江苏东方四通科技股份有限公司
- 申请人地址: 江苏省苏州市张家港市杨舍镇张家港经济开发区(南区)
- 专利权人: 江苏东方四通科技股份有限公司
- 当前专利权人: 江苏东方四通科技股份有限公司
- 当前专利权人地址: 江苏省苏州市张家港市杨舍镇张家港经济开发区(南区)
- 代理机构: 苏州润桐嘉业知识产权代理有限公司
- 代理商 吴筱娟
- 主分类号: F27D19/00
- IPC分类号: F27D19/00 ; C30B35/00
摘要:
本发明公开了一种晶体生长电源参数的自适应调控方法及系统,所述方法包括:根据第一晶体生长电源,获得第一控制参数;获得第一粒径特征信息;将第一粒径特征信息和第一温度信息输入粒径变化趋势预测模型,获得第一粒径变化趋势信息;依据预设排序规则对所述趋势变化概率进行排序,获得第一排序结果;根据第一排序结果,获得第一粒径变化趋势;判断所述第一粒径变化趋势是否满足预设粒径变化趋势;若满足所述预设粒径变化趋势,控制所述第一晶体生长电源输出所述第一电压幅值、所述第一电流幅值、所述第一脉冲频率。解决了现有技术中存在未考虑到晶体本身状态变化及晶体炉内的温度差异性,导致灵活度较低,烧结失败的概率增加的技术问题。
公开/授权文献
- CN114046669A 一种晶体生长电源参数的自适应调控方法及系统 公开/授权日:2022-02-15