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公开(公告)号：CN118600566A
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202410863420.6
申请日：2024-06-29
申请人： 咸阳旭光晶圆材料科技有限公司
发明人： 杨德江
IPC分类号： C30B35/00
摘要： 本申请涉及晶体生长领域，具体公开了一种不伤坩埚的余料处理方法，包括以下步骤：S1、在坩埚内余料中心区域放置中空铂筒，对坩埚及坩埚内的余料一起加热后保温；S2、向步骤S1中的铂筒内若干次倒入液氮，直至坩埚中心区域晶体料产生明显裂纹，停止加热，轻敲晶体料，并取出，形成通道；S3、再次通过液氮冷却后使得通道与坩埚侧边之间形成裂纹。本申请具有使得坩埚内余料形成裂纹再进行熔料或清料，降低对坩埚的损害提高坩埚使用寿命的特点。
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公开(公告)号：CN118547379A
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN202410681188.4
申请日：2024-05-29
申请人： 广东先导微电子科技有限公司
摘要： 本发明涉及半导体衬底材料制造技术领域，具体公开一种自动上料单晶炉装置，包括底架、立架、第一直线模组、第二直线模组、第三直线模组和旋转夹料机构，底架设有料管安装座；立架沿第三方向连接于底架；第一直线模组沿第一方向设于底架的两侧；第二直线模组沿第三方向设于立架面向料管安装座的端面，第二直线模组上安装有加热炉，且第二直线模组能够驱动加热炉沿第三方向移动；第三直线模组沿第三方向设于立架背向料管安装座的端面；旋转夹料机构包括第四直线模组和旋转夹料模组，第四直线模组沿第一方向安装于第三直线模组，旋转夹料模组安装于第四直线模组。本发明能够实现自动上料和下料，减少人工干预，降低工人劳动强度，提高加工效率。
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公开(公告)号：CN118461149A
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202410914502.9
申请日：2024-07-09
申请人： 湖南三安半导体有限责任公司
摘要： 本申请公开了一种籽晶及其制作方法、长晶工艺的多型率测试方法。该籽晶包括多个拼接籽晶片，至少两个拼接籽晶片符合特定条件，特定条件为：拼接籽晶片与穿过拼接籽晶片的特定线有且只有两个交点；特定线平行于[11‑20]方向，上述特征使籽晶作为衬底生长碳化硅晶体，生长的单个碳化硅晶体上能具有多个测试浓斑区，且各个测试浓斑区是否出现多型现象为相互独立的事件，统计出现多型现象的浓斑区的占比即可得到长晶工艺的多型率。上述测试不需要多炉次进行碳化硅晶体的生长，测试快速方便，且相较于多炉次生长来得到多型现象的数据，该方式避免了多炉次之间物料、人工作业、晶体长速等带来的差异，多型率数据更加可靠。
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公开(公告)号：CN118422335A
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202410700028.X
申请日：2024-05-31
申请人： 江苏第三代半导体研究院有限公司
发明人： 周国清
摘要： 本发明公开了一种晶体与坩埚的分离方法、装置及应用。所述分离方法包括：采用感应加热的方式对坩埚中与晶体接触的内壁进行加热，使晶体表面发生熔化，进而使晶体与坩埚分离；所述分离装置包括：感应加热线圈，与坩埚仿形设置，当进行感应加热时感应加热线圈包绕坩埚；承载结构，用于承载坩埚以及坩埚内部的晶体；以及高频供电单元，用于对感应加热线圈提供高频交流电以实现感应加热。本发明所提供的分离方法是一种通过感应加热方式将晶体与坩埚进行非破坏性分离的方法，能够实现晶锭的完整分离和坩埚的多次循环使用，能够显著降低热交换法、坩埚下降法和温度梯度法等热处理方法生长蓝宝石、尖晶石和钇铝石榴石等晶体时所消耗的坩埚成本。
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公开(公告)号：CN111809245B
公开(公告)日：2024-07-05
申请号：CN202010718278.8
申请日：2020-07-23
申请人： 山西中电科新能源技术有限公司
IPC分类号： C30B35/00
摘要： 本发明涉及一种高纯粉体连续纯化装置及方法，属于晶体材料纯化技术领域；解决现有高纯粉体纯化率低，纯化效率慢的问题；技术方案：待纯化的粉体经送料装置落入连接有驱动装置的旋转盘，旋转盘的表面设置有若干弧形隔板，弧形隔板以旋转盘的中心呈放射状依次排列，加热器位于旋转盘的下方，旋转盘自转使落入的粉体在离心力作用下经过旋转盘边缘落入接料槽，整个过程中加热器一直加热；本发明可实现粉体的连续生产，增大粉体与工艺气体和加热面的接触面积，减少粉体进出炉和升温降温时间，纯化效率和纯化效果均明显提升。
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公开(公告)号：CN118168676A
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN202410030394.9
申请日：2024-01-08
申请人： 广州海创产业技术研究院
摘要： 本申请公开了一种坩埚温度检测装置及晶体生长设备，涉及半导体制备技术领域，包括连接座、直线驱动组件、支撑座、热电偶和旋转驱动组件；直线驱动组件与连接座连接并驱动连接座沿竖直方向移动；支撑座绕竖直轴线可转动地连接于连接座上，支撑座的顶部具有用于支撑晶体生长炉坩埚的支撑面；热电偶设置于支撑座中，热电偶的检测端由支撑面向上伸出并用于抵接支撑晶体生长炉坩埚的底部；旋转驱动组件设置于连接座上，旋转驱动组件与支撑座连接并驱动支撑座相对连接座转动。该坩埚温度检测装置可解决目前的温度获取方式无法清楚、直观、及时地知晓坩埚在任何时刻的温度，且依赖于操作人员的经验，致使最终判断得出的坩埚温度准确性较低的技术问题。
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公开(公告)号：CN117987932B
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN202410397163.1
申请日：2024-04-03
申请人： 常州臻晶半导体有限公司
摘要： 本发明涉及冲压装置技术领域，具体涉及一种籽晶粘接烧结的冲压装置及其方法；本发明提供了一种籽晶粘接烧结的冲压装置，所述基座固定在所述外壳体内，所述基座适于限位石墨头；所述定位环转动设置在所述基座外壁，所述定位环适于限位籽晶片；所述加压气缸竖直固定在所述外壳体上，所述加压气缸的活动端适于与籽晶片抵接；所述脱模组件滑动设置在所述基座侧壁，且所述脱模组件与所述定位环联动；其中，加压气缸的活动端向下移动，以将籽晶片与石墨头抵接；定位环周向转动，适于刮除籽晶片与石墨头连接处溢出的胶水；定位环适于驱动脱模组件周向转动，以便于石墨头自基座内脱模。
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公开(公告)号：CN113366303B
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN201980078556.3
申请日：2019-11-18
申请人： 胜高股份有限公司
摘要： 本发明提供一种导热系数估计方法,该导热系数估计方法具备：将测量试样的一部分以规定的加热条件加热，测量稳定状态下的测量试样的表面的温度分布的步骤；对与测量试样相同的形状的试样模型的假定的导热系数及加热条件的多个组合实施传热模拟，对各组合计算试样模型的表面的温度分布的步骤；将所述多个组合及由该多个组合所得的温度分布的计算结果作为训练数据，使用机械学习法制作将输入作为测量试样的表面的温度分布且将输出作为测量试样的导热系数的回归模型的步骤；及将测量试样表面的温度分布测量结果输入至回归模型来估计测量试样的导热系数的步骤。
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公开(公告)号：CN118127634A
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202410307724.4
申请日：2024-03-18
申请人： 山东天岳先进科技股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种高效晶体生长炉及其使用方法，涉及晶体生长技术领域，其包括机架以及位于机架上方的晶体生长腔，所述机架包括一个能够上下升降的移动盘，移动盘上安装有转盘，转盘上并排安装有缓存腔及上料腔，缓存腔与上料腔均位于晶体生长腔的下方并关于转盘所旋转的轴线对称；当转盘旋转至一定角度，缓存腔或上料腔能够与晶体生长腔上下对齐。本发明采用三腔室结构，当长晶完成后可以通过升降旋转机构将晶体生长腔内的坩埚托盘送至缓存腔进行冷却，然后转动转盘，将上料腔与晶体生长腔对接、上料。这样，缓慢降温冷却阶段可与下一轮长晶过程同时进行，解决了现有技术中晶体生长炉生产效率低的技术问题。
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公开(公告)号：CN117961979A
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202410138019.6
申请日：2024-01-31
申请人： 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
摘要： 本发明提供了一种单晶炉磁场冷头的更换装置及更换方法，涉及单晶炉设备维护技术领域，该装置包括隔离箱体和隔离操作手套；隔离箱体的下拐角处设置开口，隔离箱体能够通过开口紧密固定在单晶炉磁场的磁场功能箱上，并且使插在磁场功能箱上的冷头处于隔离箱体内部；隔离箱体的正面和背面均对称设置有一对隔离操作手套，该隔离操作手套与隔离箱体内部隔绝，隔离操作手套伸入隔离箱体的内部，操作人员能够通过隔离操作手套遍及到保养后的新冷头以及旧冷头的位置；隔离箱体的上端设置有排气口，下端设置有充气口，用于向隔离箱体内充入稀有气体，并将空气从排气口排出。本方案能够缩短单晶炉磁场冷头的更换时间，进而提高单晶硅的生产效率。
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