本发明涉及一种界面优化的AlGaInP/AlGaAs非对称半导体激光器件及其制备方法。所述器件由下至上包括衬底、GaAs过渡层、GaAsP下过渡层、AlGaInP下限制层、下波导层、有源区、上波导层、GaAsP上过渡层、AlGaAs上限制层、AlGaAs带隙过渡层和GaAs帽层。本发明还提供所述半导体激光器件的制备方法。本发明通过在AlGaInP材料界面生长GaAsP过渡层，建立组分可控的过渡层材料，减少As/P气体切换引入的应力和缺陷，提高界面生长质量；实现AlGaInP/AlGaAs非对称半导体激光器件的高电光转换效率及工作稳定性。