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公开(公告)号：CN115249946B
公开(公告)日：2025-01-28
申请号：CN202110461647.4
申请日：2021-04-27
Applicant: 山东华光光电子股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种优化腐蚀终止层的980nm半导体激光器及其制备方法。所述激光器包括由下至上依次设置的衬底、缓冲层、下限制层、下波导层、Inx3Ga1‑x3As第一量子阱、垒层、Inx5Ga1‑x5As第二量子阱、上波导层、第一上限制层、GaAs1‑x8Px8第一过渡层、Ga1‑x9Inx9P腐蚀终止层、GaAs1‑x10Px10第二过渡层、第二上限制层和帽层。本发明通过第一过渡层及第二过渡层优化腐蚀终止层与限制层生长界面，减少As/P切换引入的缺陷，导致材料生长质量变差，同时压应变GaInP与张应变GaAsP应变补偿，优化材料生长质量，提高激光器光电转换效率。
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公开(公告)号：CN118198865A
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202410619709.3
申请日：2024-05-20
Applicant: 山东华光光电子股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种混合应变量子阱半导体光放大器及其制备方法，属于光电子技术领域。由下至上依次包括衬底、缓冲层、下限制层、下波导层、第一量子阱、第一垒层、第二量子阱、第二垒层、第三量子阱、第三垒层、第四量子阱、第四垒层、第五量子阱、上波导层、上限制层A、腐蚀阻挡层、上限制层B、带隙过渡层和帽层；本发明采用张应变及压应变交替生长的混合多量子阱实现TE模式和TM模式增益平衡，进而实现与偏振无关的红光半导体光放大器，同时利用垒层交替补偿，平衡有源区应力，避免晶格常数差异对量子阱生长质量的影响。
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公开(公告)号：CN117833024A
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202311708333.5
申请日：2024-02-18
Applicant: 山东华光光电子股份有限公司
Abstract: 本发明公开一种近圆形光斑的单模半导体激光器件，其由下至上依次包括GaAs衬底、GaAs缓冲层、(Alx1Ga1‑x1)y1In1‑y1P下限制层A、(Alx2Ga1‑x2)y2In1‑y2P扩展波导层、(Alx3Ga1‑x3)y3In1‑y3P下限制层B、(Alx4Ga1‑x4)y4In1‑y4P下波导层、Gax5In1‑x5P第一量子阱、(Alx6Ga1‑x6)y5In1‑y5P第一垒层、Gax7In1‑x7P第二量子阱、(Alx8Ga1‑x8)y6In1‑y6P第二垒层、Gax9In1‑x9P第三量子阱、(Alx10Ga1‑x10)y7In1‑y7P上波导层、(Alx11Ga1‑x11)y8In1‑y8P上限制层A、Gax12In1‑x12P腐蚀终止层、Alx13In1‑x13P上限制层B、(Alx14Ga1‑x14)y9In1‑y9P带隙过渡层、GaAs帽层。本发明通过窄脊弱波导结构，实现近圆光斑，同时利用非对称结构、扩展波导结构，压缩光场向N侧偏移，降低吸收损耗，利用低折射率垒层，提高光场与量子阱的重合度，提高光电转换效率。
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公开(公告)号：CN117748296A
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202211119455.6
申请日：2022-09-13
Applicant: 山东华光光电子股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种低折射率势垒层的窄波导650nm半导体激光器件及其制备方法，本申请设计的半导体激光器结构通过在Ga1‑x5Inx5P第二量子阱与(Alx7Ga1‑x7)y5In1‑y5P上波导层之间设置低折射率的(Alx6Ga1‑x6)y4In1‑y4P上垒层，采用张应变补偿，降低势垒的折射率，促进光场扩展，减小远场光束发散角；同时，(Alx7Ga1‑x7)y5In1‑y5P上波导层和(Al1‑x1Gax1)y1In1‑y1P下波导层采用窄波导结构，降低光场限制能力，拓展垂直方向光场，降低远场发散角。
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公开(公告)号：CN114079229B
公开(公告)日：2024-01-16
申请号：CN202010830030.0
申请日：2020-08-18
Applicant: 山东华光光电子股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种界面优化的AlGaInP/AlGaAs非对称半导体激光器件及其制备方法。所述器件由下至上包括衬底、GaAs过渡层、GaAsP下过渡层、AlGaInP下限制层、下波导层、有源区、上波导层、GaAsP上过渡层、AlGaAs上限制层、AlGaAs带隙过渡层和GaAs帽层。本发明还提供所述半导体激光器件的制备方法。本发明通过在AlGaInP材料界面生长GaAsP过渡层，建立组分可控的过渡层材料，减少As/P气体切换引入的应力和缺陷，提高界面生长质量；实现AlGaInP/AlGaAs非对称半导体激光器件的高电光转换效率及工作稳定性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116799619A
公开(公告)日：2023-09-22
申请号：CN202310714866.8
申请日：2023-06-16
Applicant: 山东华光光电子股份有限公司
Abstract: 本发明公开一种泄露波导结构的半导体激光器件，该器件由下至上依次包括衬底、缓冲层、(Alx1Ga1‑x1)y1In1‑y1P下限制层、(Alx2Ga1‑x2)y2In1‑y2P模式扩展层、(Alx3Ga1‑x3)y3In1‑y3P下限制层、(Alx4Ga1‑x4)y4In1‑y4P下垒层、(Alx5Ga1‑x5)y5In1‑y5P下波导层、GaAsx6P1‑x6量子阱、(Alx7Ga1‑x7)y6In1‑y6P上波导层、(Alx8Ga1‑x8)y7In1‑y7P上垒层、(Alx9Ga1‑x9)y8In1‑y8P上限制层、Ga0.5In0.5P上过渡层和帽层。上述的激光器采用非对称大光腔结构设计，能够压缩光场，降低损耗，提高输出功率。
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公开(公告)号：CN116667152A
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202210144105.9
申请日：2022-02-17
Applicant: 山东华光光电子股份有限公司
IPC: H01S5/343
Abstract: 本发明公开了一种镁锌共掺的AlGaInP红光半导体激光器件及其制备方法，属于光电子技术领域。所述器件由下至上依次包括GaAs衬底、GaAs缓冲层、Ga0.5In0.5P下过渡层、Al0.5In0.5P下限制层、(Alx1Ga1‑x1)y1In1‑y1P下波导层、Gax2In1‑x2P第一量子阱、(Alx3Ga1‑x3)y2In1‑y2P垒层、Gax4In1‑x4P第二量子阱、(Alx5Ga1‑x5)y3In1‑y3P上波导层、Al0.5In0.5P上限制层‑1、Al0.5In0.5P上限制层‑2、Gax6In1‑x6P腐蚀终止层、Al0.5In0.5P上限制层‑3、Ga0.5In0.5P上过渡层和GaAs帽层。通过波导层低掺杂Zn降低吸收损耗，限制层Mg、Zn共掺减少Mg掺杂记忆效应，实现限制层高掺减少载流子溢出，减少废热产生，提高高温工作可靠性。
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公开(公告)号：CN114865455A
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN202210422309.4
申请日：2022-04-21
Applicant: 山东华光光电子股份有限公司
Abstract: 本发明公开一种应变非对称结构的半导体激光器，其中，所述激光器包括由下至上依次设置的：GaAs衬底、GaAs过渡层、Alx1Ga1‑x1As下渐变层、Alx2Ga1‑x2As下限制层、Alx3Ga1‑x3As下波导层、Alx4Ga1‑x4Asy1P1‑y1垒层、GaAs缓冲层、Inx5Ga1‑x5As量子阱、Alx6Ga1‑x6As上波导层、Alx7Ga1‑x7As上渐变层、Alx8Ga1‑x8As上限制层、Alx9Ga1‑x9As上渐变层和GaAs帽层。本发明通过非对称波导层及限制层设计，增大载流子限制能力，压缩光场向N侧偏移，减少吸收损耗，提高转换效率及工作可靠性。
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公开(公告)号：CN113140964A
公开(公告)日：2021-07-20
申请号：CN202010059700.3
申请日：2020-01-19
Applicant: 山东华光光电子股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种带折射率反渐变波导层的半导体激光器及其制备方法，其中自下而上包括衬底、缓冲层、渐变下过渡层、下限制层、折射率反渐变下波导层、量子阱层、折射率反渐变上波导层、第一上限制层、模式扩展层、第二上限制层、腐蚀终止层、第三上限制层、上过渡层和帽层；本发明公开了一种带折射率反渐变波导层的半导体激光器及其制备方法，对激光器结构进行优化，设计了反渐变波导层、模式扩展层等结构，能够在不损害垂直方向光限制因子的前提下扩展光场，从而实现较薄波导层时的近圆形光斑，使得光斑的纵横模比为1.5‑1.7，有利于AlGaInP半导体激光器的进一步应用；工艺设计合理，操作简单，具体较高的实用性。
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公开(公告)号：CN112838475A
公开(公告)日：2021-05-25
申请号：CN201911163712.4
申请日：2019-11-25
Applicant: 山东华光光电子股份有限公司
IPC: H01S5/20
Abstract: 本发明实施例公开了一种基于张应变扩散阻挡层的激光器件及其制备方法，所述器件包括由下至上依次设置的GaAs衬底、GaAs缓冲层、Gax1In1‑x1P下过渡层、Al1‑x2Inx2P下限制层、(Al1‑x3Gax3)y1In1‑y1P下波导层、Ga1‑x4Inx4P第一量子阱、(Al1‑x5Gax5)y2In1‑y2P垒层、Ga1‑x6Inx6P第二量子阱、(Al1‑x7Gax7)y3In1‑y3P上波导层、(Al1‑x8Gax8)y4In1‑y4P扩散阻挡层、Al1‑x9Inx9P第一上限制层、Ga1‑x10Inx10P腐蚀终止层、Al1‑x11Inx11P第二上限制层、Ga1‑x12Inx12P上过渡层和GaAs帽层。本发明采用张应变扩散阻挡层，减少了P限制层掺杂剂向有源区的扩散，降低了内损耗；带隙增加，降低了N限制层电子扩散；提高了光限制因子。与现有生长方法相比，此方法可提高光电转效率，提高半导体激光器的高温高可靠性，有利于实现小功率红光激光器的高温高可靠性应用。
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