发明授权
- 专利标题： 金属电容结构及其制备方法
-
申请号： CN202210024334.7申请日： 2022-01-11
-
公开(公告)号： CN114094014B公开(公告)日： 2022-04-22
- 发明人: 王家玺 , 刘翔
- 申请人： 广州粤芯半导体技术有限公司
- 申请人地址： 广东省广州市黄埔区凤凰五路28号
- 专利权人： 广州粤芯半导体技术有限公司
- 当前专利权人： 粤芯半导体技术股份有限公司
- 当前专利权人地址： 510000 广东省广州市黄埔区凤凰五路28号
- 代理机构： 上海思捷知识产权代理有限公司
- 代理商 冯启正
- 主分类号： H01L49/02
- IPC分类号： H01L49/02
摘要：
本发明提供了一种金属电容结构及其制备方法，包括：基底；电容结构，包括依次堆叠于所述基底上的底层金属层、第一层间介质层、中间金属层、第二层间介质层及顶层金属层；若干第一开口，位于所述顶层金属层内，并露出所述第二层间介质层的表面；若干第二开口，从部分所述第一开口的底部向下贯穿所述第二层间介质层及所述中间金属层直至露出所述第一层间介质层的表面。本发明增大了金属电容结构的电容值及减小了金属电容结构的厚度。
公开/授权文献
- CN114094014A 金属电容结构及其制备方法 公开/授权日：2022-02-25
IPC分类:
