发明公开
- 专利标题： 一种等离子体辅助的表面亲水或疏水改性方法
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申请号： CN202010904081.3申请日： 2020-09-01
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公开(公告)号： CN114121598A公开(公告)日： 2022-03-01
- 发明人: 罗婷 , 任泽峰 , 曾维旺 , 杨学明
- 申请人： 中国科学院大连化学物理研究所
- 申请人地址： 辽宁省大连市沙河口区中山路457-41号
- 专利权人： 中国科学院大连化学物理研究所
- 当前专利权人： 中国科学院大连化学物理研究所
- 当前专利权人地址： 辽宁省大连市沙河口区中山路457-41号
- 代理机构： 沈阳科苑专利商标代理有限公司
- 代理商 马驰
- 主分类号： H01L21/02
- IPC分类号： H01L21/02
摘要：
本发明属于表面改性、半导体加工技术领域，特别涉及一种等离子体辅助的表面亲水或疏水改性方法。该方法包括以下四个步骤：(1)基片的预清洗；(2)等离子体活化处理，增大表面自由能；(3)形成表面连接层；(4)表面连接层的表征。本发明提供的一种等离子体辅助的表面亲水或疏水改性方法具有原料便宜易获得，操作简便，环境友好，与现有半导体制造工艺相兼容等优点。
IPC分类:
