本发明实施例公开了一种氮化镓垂直结型场效应管的制备方法，包括：在N+型氮化镓衬底上生长N‑型氮化镓外延层，在N‑型氮化镓外延层的两侧通过离子注入的方式掩模生长0.5～2um深的P型氮化镓外延层；在N‑型氮化镓外延层和P型氮化镓外延层表面生长N‑型氮化镓铝外延层，选择性刻蚀N‑型氮化镓铝外延层以保留与P型氮化镓外延层相邻的N‑型氮化镓铝外延层；在刻蚀后的器件表面生长氮化镓外延层，并在器件表面的中间区域刻蚀预设深度后生长P型氮化镓外延层，刻蚀器件表面并生长绝缘层；刻蚀部分绝缘层并在器件表面蒸镀金属膜，经剥离、退火后形成欧姆电极。本发明可以以JFET模型控制沟道开关以达到增强型的目的，具有大输出电流，高击穿电压的特点。