发明公开
CN114122137A 半导体器件
审中-实审
- 专利标题： 半导体器件
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申请号： CN202111002444.5申请日： 2021-08-30
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公开(公告)号： CN114122137A公开(公告)日： 2022-03-01
- 发明人: 闵宣基 , 罗采昊 , 姜尚求 , 金益秀 , 卢东贤
- 申请人： 三星电子株式会社
- 申请人地址： 韩国京畿道
- 专利权人： 三星电子株式会社
- 当前专利权人： 三星电子株式会社
- 当前专利权人地址： 韩国京畿道
- 代理机构： 北京市柳沈律师事务所
- 代理商 翟然
- 优先权： 10-2020-0109994 20200831 KR
- 主分类号： H01L29/78
- IPC分类号： H01L29/78 ; H01L29/08 ; H01L23/48
摘要：
一种半导体器件可以包括在衬底上的第一鳍状图案和第二鳍状图案，该第一鳍状图案和第二鳍状图案在第一方向上延伸，并且在第二方向上彼此间隔开。第一外延图案可以在第一鳍状图案上，第二外延图案可以在第二鳍状图案上。场绝缘层可以在衬底上，并且可以覆盖第一鳍状图案的侧壁、第二鳍状图案的侧壁、第一外延图案的侧壁的一部分和第二外延图案的侧壁的一部分。场绝缘层的顶表面可以高于第一外延图案的底表面和第二外延图案的底表面。
IPC分类:
