本发明提供了一种可重构肖特基二极管，包括栅电极层、栅介质层、沟道层、源电极和漏电极，所述栅介质层设置于所述栅电极层的一面，所述沟道层设置于所述栅介质层背向所述栅电极层的一面，且为双极性半导体，栅极电压能够控制沟道层在P型和N型之间连续变化，所述源电极设置于所述沟道层背向所述栅介质层的一面，且与所述沟道层之间为肖特基接触，所述漏电极设置于所述沟道层背向所述栅介质层的一面，且与所述沟道层之间为欧姆接触，进而使得栅极电压能够控制沟道层表现出金属P型半导体肖特基二极管的整流特性和金属N型半导体肖特基二极管的整流特性，实现了所述可重构肖特基二极管的可重构性。