- 专利标题： 复合烧结体、半导体制造装置构件及复合烧结体的制造方法
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申请号： CN202111074760.3申请日： 2021-09-14
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公开(公告)号： CN114180942B公开(公告)日： 2023-04-11
- 发明人: 宫西启太 , 阿闭恭平 , 永井明日美 , 山口浩文 , 青柳宗一郎
- 申请人： 日本碍子株式会社
- 申请人地址： 日本爱知县
- 专利权人： 日本碍子株式会社
- 当前专利权人： 日本碍子株式会社
- 当前专利权人地址： 日本爱知县
- 代理机构： 北京银龙知识产权代理有限公司
- 代理商 陈彦; 郭玫
- 优先权： 2021-105533 20210625 JP 2021-105533 20210625 JP
- 主分类号： C04B35/10
- IPC分类号： C04B35/10 ; C04B35/622
摘要：
本发明提供复合烧结体、半导体制造装置构件及复合烧结体的制造方法。复合烧结体(20)具备以Al2O3为主材料的基材和配置于该基材的内部或表面的电极(23)。电极(23)包含Ru、ZrO2和Al2O3。由此，能够抑制电极(23)中的ZrO2的偏集。其结果，能够抑制由该偏集的影响导致的电极(23)与基材的热膨胀系数之差所引起的基材的裂纹、电极(23)的剥离。
公开/授权文献
- CN114180942A 复合烧结体、半导体制造装置构件及复合烧结体的制造方法 公开/授权日：2022-03-15