公开(公告)号：CN113451172B

公开(公告)日：2024-05-14

申请号：CN202110228008.3

申请日：2021-03-02

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 永井明日美 ,  西村升 ,  山口浩文

IPC: H01L21/67

Abstract: 本发明提供层叠结构体及半导体制造装置部件，层叠结构体(10)具备：第一结构体，其由包含AlN及MgAl2O4作为主相的复合烧结体形成；以及第二结构体，其由陶瓷烧结体形成，且层叠并接合于该第一结构体。并且，该第一结构体与该第二结构体的线性热膨胀系数之差为0.3ppm/K以下。由此，能够抑制由热应力所导致的第一结构体与第二结构体之间的接合部受损。

公开(公告)号：CN113264775B

公开(公告)日：2023-07-04

申请号：CN202110081654.1

申请日：2021-01-21

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 永井明日美 ,  西村升 ,  山口浩文

IPC: C04B35/58 ,  C04B35/622 ,  C04B35/645 ,  H01L21/683

Abstract: 本发明提供一种致密质复合材料、其制法、接合体及半导体制造装置用构件。本发明的致密质复合材料含有43～63质量％的硅化钛，并且含有分别比硅化钛的质量％少量的碳化硅和碳化钛，碳化硅的粒子间距离的最大值为40μm以下，标准偏差为10以下，开口气孔率为1％以下。

公开(公告)号：CN114180942B

公开(公告)日：2023-04-11

申请号：CN202111074760.3

申请日：2021-09-14

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 宫西启太 ,  阿闭恭平 ,  永井明日美 ,  山口浩文 ,  青柳宗一郎

IPC: C04B35/10 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明提供复合烧结体、半导体制造装置构件及复合烧结体的制造方法。复合烧结体(20)具备以Al2O3为主材料的基材和配置于该基材的内部或表面的电极(23)。电极(23)包含Ru、ZrO2和Al2O3。由此，能够抑制电极(23)中的ZrO2的偏集。其结果，能够抑制由该偏集的影响导致的电极(23)与基材的热膨胀系数之差所引起的基材的裂纹、电极(23)的剥离。

公开(公告)号：CN111902383B

公开(公告)日：2022-12-16

申请号：CN201980018676.4

申请日：2019-03-08

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 阿闭恭平 ,  西村升 ,  永井明日美 ,  胜田祐司

IPC: C04B35/117 ,  H01L21/683

Abstract: 复合烧结体具备Al2O3和MgAl2O4。该复合烧结体中的Al2O3的含有率为95.5重量％以上。该复合烧结体中的Al2O3的平均烧结粒径为2μm以上且4μm以下。该复合烧结体中的Al2O3的烧结粒径分布的标准偏差为0.35以下。该复合烧结体的堆积密度为3.94g/cm3以上且3.98g/cm3以下。该复合烧结体中的MgAl2O4与Al2O3的晶相量之比为0.003以上且0.01以下。由此，能够提供具有高耐电压及高体积电阻率的复合烧结体。

公开(公告)号：CN118724595A

公开(公告)日：2024-10-01

申请号：CN202410271730.9

申请日：2024-03-11

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 井畑佳奈 ,  永井明日美 ,  井上胜弘

IPC: C04B35/58 ,  C04B35/56 ,  C04B35/622 ,  C04B35/575 ,  C04B35/645

Abstract: 本发明涉及复合材料烧结体、接合体、半导体制造装置用部件及复合材料烧结体的制造方法，提供由与以往不同的构成相构成、与氮化铝的线热膨胀系数差与以往同等或者比以往小、且致密质的复合材料烧结体。复合材料烧结体由碳化硅、硅化钨、以及碳化钨构成，含有14.4wt％以上且48.6wt％以下的碳化硅，开口气孔率为1％以下。

公开(公告)号：CN114180943B

公开(公告)日：2023-06-27

申请号：CN202111081223.1

申请日：2021-09-15

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 阿闭恭平 ,  宫西启太 ,  永井明日美 ,  山口浩文

IPC: C04B35/10 ,  C04B35/48 ,  C04B35/622 ,  C04B35/645

Abstract: 本发明提供一种复合烧结体、半导体制造装置构件及复合烧结体的制造方法，能够抑制电极的电阻率增大，并且减小电极与基材的热膨胀系数之差。复合烧结体(20)具备以陶瓷为主材料的基材和配置于该基材的内部或表面的电极(23)。电极(23)包含W和ZrO2。由此，能够减小电极(23)与基材的热膨胀系数之差。其结果是，能够抑制由电极(23)与基材的热膨胀系数之差引起的基材的裂纹、电极(23)的剥离。另外，在复合烧结体(20)中，也能够抑制电极(23)的电阻率增大。其结果是，能够高精度地控制电极(23)的发热量。

公开(公告)号：CN114180942A

公开(公告)日：2022-03-15

申请号：CN202111074760.3

申请日：2021-09-14

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 宫西启太 ,  阿闭恭平 ,  永井明日美 ,  山口浩文 ,  青柳宗一郎

IPC: C04B35/10 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明提供复合烧结体、半导体制造装置构件及复合烧结体的制造方法。复合烧结体(20)具备以Al2O3为主材料的基材和配置于该基材的内部或表面的电极(23)。电极(23)包含Ru、ZrO2和Al2O3。由此，能够抑制电极(23)中的ZrO2的偏集。其结果，能够抑制由该偏集的影响导致的电极(23)与基材的热膨胀系数之差所引起的基材的裂纹、电极(23)的剥离。

公开(公告)号：CN114180943A

公开(公告)日：2022-03-15

申请号：CN202111081223.1

申请日：2021-09-15

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 阿闭恭平 ,  宫西启太 ,  永井明日美 ,  山口浩文

IPC: C04B35/10 ,  C04B35/48 ,  C04B35/622 ,  C04B35/645

Abstract: 本发明提供一种复合烧结体、半导体制造装置构件及复合烧结体的制造方法，能够抑制电极的电阻率增大，并且减小电极与基材的热膨胀系数之差。复合烧结体(20)具备以陶瓷为主材料的基材和配置于该基材的内部或表面的电极(23)。电极(23)包含W和ZrO2。由此，能够减小电极(23)与基材的热膨胀系数之差。其结果是，能够抑制由电极(23)与基材的热膨胀系数之差引起的基材的裂纹、电极(23)的剥离。另外，在复合烧结体(20)中，也能够抑制电极(23)的电阻率增大。其结果是，能够高精度地控制电极(23)的发热量。

公开(公告)号：CN111902383A

公开(公告)日：2020-11-06

申请号：CN201980018676.4

申请日：2019-03-08

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 阿闭恭平 ,  西村升 ,  永井明日美 ,  胜田祐司

IPC: C04B35/117 ,  H01L21/683

Abstract: 复合烧结体具备Al2O3和MgAl2O4。该复合烧结体中的Al2O3的含有率为95.5重量％以上。该复合烧结体中的Al2O3的平均烧结粒径为2μm以上且4μm以下。该下复。该合复烧合结烧体结中体的的A堆l2O积3的密烧度结为粒3.9径4分g/c布m的3以标上准且偏3差.98为g/0c.m353以以下。该复合烧结体中的MgAl2O4与Al2O3的晶相量之比为0.003以上且0.01以下。由此，能够提供具有高耐电压及高体积电阻率的复合烧结体。

公开(公告)号：CN106653652A

公开(公告)日：2017-05-10

申请号：CN201610968551.6

申请日：2016-10-27

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 永井明日美 ,  西村升 ,  胜田祐司

IPC: H01L21/67 ,  H01J37/32 ,  H05B3/18

CPC classification number: H01L21/67103 ,  H01J37/32724 ,  H05B3/18

Abstract: 本发明涉及一种半导体制造装置用部件、其制法以及附带有轴的加热器。本发明的半导体制造装置用部件是接合于氮化铝基部件的部件，作为材料，使用以氮化铝和包含硅、铝、氧以及氮的氮化铝假多晶型为主要构成相的复合材料。氮化铝假多晶型具有27R相及21R相中的至少一种周期结构，或者，氮化铝假多晶型的X射线衍射峰至少出现在2θ＝59.8～60.8°。复合材料在室温下的热传导率为50W/mK以下。